北京
中國半導體設備制造商近日宣布，國產28nm DUV光刻機已通過量產驗證，標志著我國在高端芯片制造裝備領域取得重要突破。
這一進展的重要意義：
- 填補了國內在成熟制程光刻機領域的空白
- 28nm工藝可滿足大部分汽車芯片、物聯網芯片的需求
- 設備國產化率達到85%以上，供應鏈風險大幅降低
- 單臺設備售價較進口產品低約40%
業內專家表示，雖然與ASML的EUV光刻機仍存在代差，但28nm光刻機的突破證明了中國半導體設備產業具備攻克技術難關的能力。
預計到2026年底，國產28nm光刻機的年產能將達到50臺以上，屆時將顯著緩解國內芯片代工廠的設備供應壓力。下一步，研發團隊將向14nm節點發起沖擊。
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