臺積電2nm，排單到2028年

臺積電先進制程將連續四年漲價。

受益于AI與HPC需求強勁，臺積電2nm家族包含A16制程產能嚴重供不應求，現在已經排到2028年以后，同時臺積電先進制程也將連續四年漲價。

業內消息稱，臺積電2nm家族產能供不應求繼續加劇，除了英偉達、博通、聯發科等既有大客戶先后預訂未來兩年產能，英特爾也排隊預訂，最快可望于2027年內導入新品。Meta也加入搶產能行列，但由于諸多大客戶已預先包下產能，使得臺積電2nm家族訂單能見度進一步拉長到2028年以后。

最受矚目的是，英偉達規劃下一代采用臺積電A16制程生產的Feynman平臺，也因A16產能緊缺，傳出英偉達無法取得足夠A16產能，僅留用最關鍵的裸芯片（Die）采用A16，部分裸晶片設計則改采N3P制程。

博通日前于財報會議提到，該公司已經完成超前部署，順利掌握直到2028年AI芯片生產所需的所有HBM及臺積電先進制程產能，同時表露出提前預訂臺積電未來兩年先進制程產能的意味。

臺積電2nm家族包含A16制程需求強勁。臺積電先前于法說會提到，2nm和A16在應對節能運算永無止境的需求方面領先業界，幾乎所有的創新者都正在與臺積電合作，包括N2、N2P、A16及其衍生技術將推動2nm家族成為臺積電另一個大規模、且有長期需求的制程技術。

去年12月，臺積電官網顯示，“臺積電的2nm (N2) 技術已按計劃于2025年第四季度開始量產。 ”值得注意的是，位于中國臺灣的新竹科學園區（Fab 20）和高雄（Fab 22）是臺積電2nm首發晶圓廠。根據此前消息，臺積電2nm (N2) 先進制程工藝量產初期的產能約為每月3.5萬片晶圓，到今年底有望升至14萬片/月，高于此前市場預估的10萬片/月。

從性能提升的角度來看，N2 的設計目標是在相同功耗下實現 10%–15% 的性能提升，在相同性能下降低 25%–30% 的功耗，并且對于包含邏輯、模擬和 SRAM 的混合設計，晶體管密度比 N3E 提高 15%。對于純邏輯設計，晶體管密度比 N3E 高出 20%。

臺積電的N2工藝是該公司首個采用環柵納米片晶體管（GAA）的工藝節點。在這種晶體管中，柵極完全環繞由水平堆疊納米片構成的溝道。這種幾何結構改善了靜電控制，降低了漏電，并能夠在不犧牲性能或能效的前提下實現更小的晶體管尺寸，最終提高了晶體管密度。此外，N2工藝還在電源傳輸網絡中加入了超高性能金屬-絕緣體-金屬（SHPMIM）電容器。這些電容器的電容密度是上一代SHDMIM設計的兩倍以上，并將薄層電阻（Rs）和過孔電阻（Rc）降低了50%，從而提高了電源穩定性、性能和整體能效。

臺積電2nm家族延伸推出N2P制程技術，具備更佳的效能及功耗優勢，預計2026年下半年量產；臺積電并規劃，同屬于2nm家族的A16制程也將于2026年下半年進入量產。

對于相關傳聞，臺積電一貫不評論單一客戶訊息，強調不評論價格問題，公司定價策略始終以策略導向，而非以機會導向，會持續與客戶緊密合作，以提供價值。

2025年第四季度，臺積電營收336.7億美元（10460.9億新臺幣），同比增長25.5%，環比增長5.7%。凈利潤5057.4億新臺幣，同比暴增35%，這是臺積電連續第八個季度實現利潤同比增長。凈利率達48.3%，毛利率62.3%。其中，3nm 制程出貨占晶圓銷售金額的28%；5nm 制程出貨占晶圓銷售金額的 35%；7nm 制程出貨占晶圓銷售金額的 14%。總體而言，先進制程（包含7nm及更先進制程）的營收達到第四季度晶圓銷售金額的 77%。

按平臺劃分，高性能計算（HPC）和智能手機分別占凈營收的55%和32%，而物聯網（IoT）、汽車、數據通信設備（DCE）和其他分別占5%、5%、1%和2%。來自北美地區的客戶的收入占臺積電總凈收入的74%，而來自亞太地區，中國大陸、日本和歐洲、中東、非洲（EMEA）的收入分別占總凈收入的9%、9%、4%和4%。

此前臺積電預計，2026年資本支出520億美元至560億美元。作為對比，2025年臺積電資本支出總計409億美元。

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