多家行業機構同步發布存儲芯片市場預測報告,受AI數據中心建設持續推進影響,全球DRAM存儲芯片供需缺口進一步擴大,預計2026年第二季度DRAM價格將環比再漲30%,延續此前的漲價態勢,全球半導體存儲產業持續升溫。
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AI生成
據行業分析機構測算,當前全球DRAM市場供需失衡態勢明顯,需求端主要受AI數據中心建設拉動,隨著生成式AI、大模型訓練及推理需求的爆發,數據中心對高帶寬內存(HBM)、服務器級DRAM的需求呈指數級增長,成為推動DRAM價格上漲的核心動力。供給端方面,三星、SK海力士等主要廠商雖在逐步擴大產能,但產能釋放存在滯后性,短期內難以滿足激增的市場需求。
此前,三星電子已明確在2026年第二季度對旗下全系列DRAM產品執行平均30%的環比漲價,涵蓋HBM、服務器級、消費級等全品類,而第一季度DRAM產品同比漲幅已達100%,連續兩輪大幅漲價力度遠超市場預期。機構指出,此次漲價并非單一企業行為,而是行業整體供需格局的體現,SK海力士、美光等廠商也有望跟進漲價,進一步推動DRAM價格上行。
業內人士表示,AI產業的持續爆發將長期支撐DRAM需求,預計2026年全年DRAM市場規模將同比增長超50%,供需缺口可能持續至2027年。對于下游企業而言,存儲芯片價格的持續上漲將增加生產成本,尤其是AI數據中心、服務器廠商的成本壓力將進一步加大,部分中小企業可能面臨盈利承壓的困境。
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