國內功率半導體，加速崛起

功率半導體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產業鏈中最核心的一類器件之一，其功能主要是對電能進行轉換，對電路進行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，具有處理高電壓，大電流的能力。

根據中研普華產業研究院的研究報告，2025年全球功率半導體器件行業市場規模有望突破555億美元，同比增長12%。這一增長主要得益于新能源汽車、光伏、風電等行業的快速發展，以及物聯網、新一代通信網絡的普及。功率半導體器件作為這些新興行業不可或缺的核心元件，其需求量大幅增長。

從市場格局看，目前全球功率半導體市場集中度比較高，主要由歐美、日本等地的IDM廠商主導，英飛凌、意法半導體、德州儀器、安森美等巨頭憑借技術與品牌優勢，市占率一度超過50%。

不過近年來，隨著新能源汽車、光伏等下游場景的持續強勢，以及企業在技術方面的突破，我國功率半導體行業逐漸從中低端向高端市場邁進，在SiC、IGBT 等核心領域實現從 “替代進口” 到 “全球競合” 的跨越，未來將深度參與全球能源革命與智能化浪潮。進入2025年之后，國產功率半導體突破的情況愈發明顯。在多家海外巨頭高喊需求疲軟、庫存高企之時，國內廠商卻在市場上不斷突破，多家企業市占率進入全球功率半導體前十。

由業界領先的半導體電子信息媒體芯師爺舉辦的第七屆“芯師爺-硬核芯年度評選活動”，匯聚了百余家中國半導體產業的知名企業、潛力企業及其年度重磅“芯”品。本文精選了2025年參評的多款功率器件產品，以期為市場提供更多優質國內半導體產品選型。

芯聯集成

芯聯集成成立于2018年，2023年在科創板上市。以“聯結資源、匯聚智慧、持續創新，鼎力支撐全球智慧型新能源革命”為愿景，芯聯集成面向車載、工控、高端消費、AI四大應用市場，致力于MEMS、IGBT、SiC MOSFET、模擬IC、MCU的研發、生產和銷售，形成了完善的產品布局、雄厚的技術積累、多樣化的工藝平臺以及規模化的生產能力，是國內稀缺的一站式芯片系統代工方案供應商。

芯聯集成擁有種類完整、技術先進的車規級高質量功率器件和功率IC研發及量產平臺，是國內重要的車規和高端工業控制芯片及模組制造基地。同時，芯聯集成聚焦模擬IC持續開發國內獨有、稀缺的高壓BCD 平臺，且多個新平臺已實現規模量產。

經過7年的發展和蓄力，芯聯集成在“技術+市場”雙輪驅動的經營策略下，已構筑了IGBT、碳化硅、模擬IC三大業務增長曲線。根據Chip Insights發布的《2024年全球專屬晶圓代工排行榜》，公司已邁入晶圓代工“第一梯隊”，躋身2024年全球專屬晶圓代工榜單前十，中國大陸第四。

從中國最大車規IGBT基地到全球SiC技術領跑者，從傳統代工到系統代工解決方案提供商，芯聯集成以十年磨一劍的定力，在新能源與智能化賽道逐步構建起"技術-產能-生態"三重壁壘。

1500V SiC MOS 灌膠模組

一款適用于100-400KW功率段的SiC Mini HPD模塊，該模塊搭載G1.7系列SiC芯片，產品電壓范圍覆蓋750V-1500V，可支持1000V以上電池電壓平臺。采用高效熱管理散熱技術和先進封裝工藝，具有優異的出流能力和高可靠性。SiC模塊能給汽車提供澎湃的動力并最大限度的降低汽車運行能耗，提升系統效率和續航里程，使汽車運行起來更加安靜，帶來極致的駕乘體驗。

瑞能半導體

瑞能半導體科技股份有限公司是專注于功率半導體的全球領先企業，前身為恩智浦半導體標準產品事業部。公司運營中心位于上海，擁有吉林、上海、北京三座芯片生產基地、香港子公司、上海研發中心、東莞物流中心，并建立了覆蓋全球的銷售與服務體系。 瑞能結合先進的雙極功率技術與恩智浦在中國制造業和分銷渠道的資源優勢，主營可控硅/晶閘管、碳化硅器件、快恢二極管、TVS/ESD、IGBT及模塊等功率半導體產品，廣泛應用于消費電子（家電）、工業制造（通信電源）、新能源及汽車領域。擁有超100件專利（含6項境外專利），近兩年研發投入占比超7%。晶閘管全球市占率第一）碳化硅二極管全球七名（Omdia 2024數據），產品應用于多家全球知名品牌。

瑞能半導體擁有全球員工超500人，研發人員占比超35%。通過自有團隊+代理模式構建全球銷售網絡，精準匹配客戶需求。依托研發-生產-物流全鏈條布局，支撐半導體國產化與進口替代進程，獲國家政策支持。深耕行業形成先發優勢，以技術積累、量產經驗及客戶協同開發能力構建良性循環，持續推動功率半導體在智能制造領域的創新應用。

瑞能碳化硅TSPAK系列

瑞能已正式推出全新TSPAK系列碳化硅產品，該系列采用頂部散熱封裝，產品包括瑞能領先工藝的SiC MOSFET與SiC肖特基二極管。采用頂部散熱封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩定的TO-247等傳統直插型封裝，還具有基于SMD的PCB組裝方式，同時避免依次安裝絕緣襯套緊固螺絲，實現高效制造流程的額外優勢。同時，由于無需設置熱過孔，可最小化電流環路面積，減小EMI輻射。

數明半導體

上海數明半導體有限公司（以下簡稱：數明半導體）成立于2013年，專注于研發高性能、可靠的模擬芯片及系統解決方案。公司產品線豐富，涵蓋驅動芯片、電源管理及智能能光伏芯片、接口與信號鏈芯片，廣泛應用于電動汽車、新能源及工業領域，深受市場認可。

公司自研核心技術與知識產權，通過ISO9001:2015及國家知識產權體系認證，技術實力雄厚。2020年獲”高新技術企業”稱號，2022年更榮獲上海市科技小巨人、專精特新企業及國家級專精特新“小巨人”稱號，彰顯行業領先地位。

數明半導體秉持“為客戶與員工創造價值，共建綠色智能未來”的使命，致力于成為模擬芯片領域的領先供應商，持續創新，推動行業發展。

SiLM94112-AQ

SiLM94112-AQ是一款帶保護功能的12通道半橋驅動器，廣泛應用于汽車驅動電機控制，比如加熱、排風、空調翼板直流電機的驅動應用。SiLM94112-AQ通過SPI通訊接口直接控制最多12通道的半橋輸出。半橋驅動器可用于驅動直流電機獨立、順序或并聯工作，通過16位SPI接口可控制電機于正向、反向、制動和滑行狀態。SiLM94112-AQ可提供系統診斷特征，如輸出短路、開路、電源失效和過溫檢測，并具有低靜態電流的優勢。應用部位：后視鏡調節、空調控制器、車身域控等。

泰科天潤

泰科天潤半導體科技（北京）有限公司成立于2011年，是中國碳化硅功率器件產業化領軍企業，專業從事碳化硅器件研發與制造，并提供應用解決方案。總部坐落于北京，是一家IDM企業，擁有兩條碳化硅芯片晶圓生產線。

公司有13年碳化硅器件量產經驗，涵蓋研發、制造、工藝、品控、應用方案和銷售六個方向。

同時，公司建有可靠性實驗室、器件評估實驗室、失效分析實驗室、系統應用實驗室，為向客戶提供優質產品提供有力保障。泰科天潤的碳化硅產品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規格，已經批量應用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個領域，并屢次獲得行業優秀產品獎。公司質量資質有：

ISO9001/IATF16949/RoHS/REACH/UL/DNV·GL/USCG/AEC-Q101等。

碳化硅MOSFET半橋模塊 GPT040M0120HBMX1

這是一款結構緊湊結構緊湊，低成本，高功率密度，高效率的碳化硅半橋模塊。它具有很低的寄生參數，同時內部自帶有NTC可以檢測殼溫，減少了產品開發過程中的設計難度。具有內絕緣，無需額外的絕緣片，有利于生產加工，類TO封裝，可以參考常規插件封裝的散熱設計，降低散熱設計難度。

杰盛微半導體

杰盛微半導體是由國家特聘專家以及留學歐美的海歸博士團隊創立的高科技公司，總部在西安市高新區錦業路125號西安半導體產業園。

杰盛微半導體是一家專業生產霍爾磁性傳感器SOC芯片、模擬驅動IC、電源管理芯片(AC-DC/DC-DC)、MOSFETS場效應、二三極管、晶體管、單雙三四象可控硅等的公司。JSMSEMI杰盛微擁有完整的自主研發體系并掌握多項國內領先的關鍵核心技術，研制開發了各類磁開關系列芯片，磁速度、方向傳感器芯片，線性傳感器芯片，以及磁編碼器芯片、包括25V~700V柵極驅動IC芯片、3300V/5000V隔離柵驅動IC芯片、電機驅動IC芯片、智能功率開關及智能模塊。為汽車電子、光伏及儲能、數據中心和工業控制等市場領域的終端客戶高可靠性功率模擬IC芯片。

杰盛微半導體是業內能提供最全面的產品與解決方案的企業之一，產品種類超過50多種封裝形式和10000多種型號。公司已通過ISO9001:2008質量管理體系認證。JSMSEMI產品達到SGS報告標準，SVHC和RoHS符合標準。

可信賴的汽車工業級芯片生產與解決方案供應商。

JSM2136STR

JSM2136S提供外部使能控制可同時關斷六通道輸出。通過連接到 RCIN輸入的RC網絡在外部編程延時后，過電流故障情況自動清除。邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或 LSTTL 邏輯輸出電平，其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率 MOSFET/IGBT 等器件。JSM2136S采用SOP-28寬體封裝，可以在-40至125溫度范圍內工作。

觀巖科技

成都觀巖科技有限公司是一家集成電路研發企業，公司聚焦工業光纖收發器、隔離芯片、光通信芯片三大方向，可為客戶提供國產化的光纖收發模塊、工業控制類隔離芯片/器件、光通信芯片等豐富的半導體產品及解決方案。產品可廣泛應用于電網自動化、工業控制、光通訊及消費電子領域。

公司一直保持高研發投入，目前已完成了多款產品的研發與量產，公司核心技術在國內領先，且完全自主可控，利用核心技術開發的多款產品屬于國內唯一，公司抓住國產化機遇迅速實現了市場突破，目前已經成功進入到電力電子、工業控制、光通信等方向的國內一線龍頭企業，累計出貨已超千萬顆，公司后續會進一步擴大產品在國內的市場占比，樹立公司品牌，成為國產芯片的標桿企業。

公司目前已申請了10余項發明專利、集成電路布圖設計專有權，為公司樹立起了技術壁壘，保證了公司技術和產品在國內領先。

公司于2023年通過了ISO9001、ISO45001、ISO14001三項管理體系認證，同年成為“成都市集成電路行業協會”會員單位，截止目前，公司已成功獲得了“高新技術企業”、“高新區高層次四派人才企業”、“創新型中小企業”、“科技型中小企業”“集成電路設計企業評估”等多項榮譽資質。

4A智能IGBT驅動光耦芯片 NRH332J

NRH332J 是一款智能柵極驅動光耦芯片，峰值輸出電流高達4A，可驅動IGBT或MOSFET。 其集成了關鍵保護功能，包括退飽和檢測、欠壓鎖定保護(UVLO)、IGBT軟關斷、有源米勒鉗位及故障反饋，大幅提升系統可靠性。具備寬電源電壓范圍（15-30V）和優異的熱穩定性，專為工業逆變器、電機驅動及開關電源等工業應用設計，提供卓越的電路保護和設計靈活性。

瞻芯電子

上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。公司致力于開發碳化硅功率器件、驅動和控制芯片產品，圍繞碳化硅(SiC)應用，為客戶提供一站式芯片解決方案。

瞻芯電子依托浙江瞻芯SiC晶圓產線，自主開發第3代SiC MOSFET工藝平臺。基于該平臺開發的第3代1200V SiC MOSFET產品是平面柵極結構。

瞻芯電子第3代1200V SiC MOSFET系列產品

瞻芯電子第3代SiC MOSFET技術優勢：

1.工藝優化

第3代平面柵工藝通過縮小元胞的Pitch，顯著提升了器件密度。在保證器件耐壓和短路能力的前提下，將比導通電阻（Rsp）降低至2.5mΩ·cm2，達到國際一流水平。

2.高溫性能提升

第3代SiC MOSFET的導通電阻(Ron)溫度系數較低，在高溫下保持穩定的低損耗。例如，第3代1200V SiC MOSFET的Ron在驅動電壓為15V時，175°C 高溫下的僅為常溫（25°C）的 1.42倍；當驅動電壓為18V時，該比值為 1.65倍，而市場其他產品幾乎都在2倍以上。

3.高可靠性標準

全系列產品按汽車級可靠性標準(AEC-Q101)設計和測試認證。關鍵產品，如首款1200V 13mΩ 大電流SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z），增加更嚴格的極端性能測試驗證。

4.規格齊全

具有650V、750V、1200V，1400V和3300V電壓平臺，滿足不同行業多種母線電壓的需要；導通電阻覆蓋11mΩ~150mΩ，滿足從高中低功率段的需求。