北京
山東大學(xué)陳召來老師FACs單晶鈣鈦礦電池，F(xiàn)A?.??Cs?.??PbI?薄單晶PSC效率由22.8%升至25.5%
單晶生長依然是依照傳統(tǒng)空間限域大法：
單晶SEM：
CSSG動(dòng)態(tài)補(bǔ)料抑制碘空位，F(xiàn)AI后處理再填補(bǔ)表層空位
目標(biāo)晶體超氧自由基產(chǎn)率降低，陷阱密度降，晶體質(zhì)量提升。
晶體離子遷移激活能提；老化目標(biāo)組幾乎無碘擴(kuò)散，界面電荷抽取無衰減。
控制組電極邊緣因橫向離子遷移出現(xiàn)CuI變色，目標(biāo)組邊緣完好；EDS顯示控制組死區(qū)碘缺失，目標(biāo)組均勻。
目標(biāo)器件效率由22.8%提至25.5%，穩(wěn)態(tài)輸出25.3%，T90老化壽命從200 h延至1000 h。
針對單晶表面，碘空位誘發(fā)復(fù)合與離子遷移，作者提出生長-后處理分級消除策略，先在亞穩(wěn)區(qū)連續(xù)補(bǔ)料生長（CSSG）抑制微米級空位，再用稀FAI溶液修復(fù)最外層空位。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，F(xiàn)A?.??Cs?.??PbI?薄單晶PSC效率由22.8%升至25.5%，離子遷移激活能提高44%，橫向/縱向碘擴(kuò)散均被抑制，未封裝器件在60 °C、1 sun下T90壽命從200 h延長至1000 h
從作者統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來看，F(xiàn)ACs單晶確實(shí)發(fā)過不少文章，那么對于鈣鈦礦單晶，你更看好純FAPbI3還是FACs?
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