一年暴漲約1800%！存儲芯片暴漲“帶飛”半導體設備市場

1月6日，話題“一盒內存條堪比上海一套房”，登上熱搜。

來源：微博熱搜詞條

據時代周報記者采訪到，“內存幾乎一天一個價”。以256G的DDR5服務器內存為例，單條價格已超過4萬元。“如果一次采購100根一盒，就是400萬元，價值已經超過上海不少房產。”

AI驅動，存儲新周期開啟

2026年伊始，這輪自2024年末以來的存儲漲價潮沒有絲毫放緩的跡象，主要系人工智能服務器需求的爆發導致先進制程產能向HBM（高帶寬存儲器）等高端應用傾斜，擠壓了其他市場的供給，引發全行業價格快速上漲。

數據顯示，部分內存模組現貨價格在一年內漲幅高達約1800%，三星與SK海力士更計劃在2026年第一季度將服務器DRAM價格提升60%~70%。同時，北方華創、拓荊科技等半導體設備龍頭股價接連刷新歷史高點，市場資金積極涌入。

多家機構在近期研報中指出，國產半導體設備與材料企業將直接受益于國內存儲原廠的高稼動率與持續擴產計劃，尤其在前道制程、量測、清洗、CMP等環節已實現突破的企業，訂單能見度正在提升，因此被視為此輪存儲大周期的先行受益板塊，伴隨需求持續釋放，原廠擴產都必須率先采購設備，設備企業的業績能見度較高，成為資金在產業周期早期重點布局的方向。

產能擴張

半導體設備需求激增

SEMI在最新發布的《年終總半導體設備預測報告》中指出，2025年全球半導體制造設備總銷售額預計達1330億美元，同比增長13.7%，遠超2024年1043億美元的紀錄，創下歷史新高。

AI相關投資的爆發式增長成為貫穿全年的核心主線，尖端邏輯電路、存儲芯片及先進封裝三大領域的設備需求持續旺盛，推動市場規模不斷突破。

2025年，芯片制造商為滿足AI加速器、高性能計算和高端移動處理器的產能需求，持續加碼先進節點投資，行業正加速向2nm GAA節點的大批量生產邁進。這一過程直接拉動了刻蝕、薄膜沉積、光刻等高端設備的需求，其中刻蝕設備因GAA制程對工藝精度的嚴苛要求，市場規模同比增長超20%。

SEMI數據顯示，ASML 2025年全年EUV設備交付量達60余臺，同比增長20%，臺積電、三星為主要搶購企業；TEL發布用于GAA工藝的刻蝕設備TEO-3000，加工精度達單原子水平，2025年出貨量120臺，其中三星采購58臺用于2nm產線搭建。國內市場，中微公司的CCP刻蝕設備已成功進入先進制程供應鏈，其60:1超高深寬比介質刻蝕設備成為國內先進制程標配，量產指標穩步提升，下一代90:1超高深寬比介質刻蝕設備即將進入市場；北方華創的深硅刻蝕設備實現先進邏輯電路制造批量應用。

存儲設備市場的快速增長同樣體現在細分領域，DRAM設備銷售額預計2025年增長15.4%至225億美元，而NAND設備市場在3D NAND堆疊技術進步的推動下，預計增長45.4%至140億美元。

HBM制造流程中TSV工藝占總成本的30%，對深孔刻蝕設備、氣相沉積設備、銅填充設備的工藝精度和穩定性提出了極高的要求。

2025年全球HBM相關設備訂單量同比增長65%，其中刻蝕、沉積類設備訂單占比超過70%。

國內外半導體設備制造商紛紛推出針對HBM等高端存儲產品的新型設備，搶占市場份額。拓荊科技的HBM專用ALD設備通過頭部存儲廠商驗證，2025年實現小批量出貨。華卓精科推出的CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、邊拋裝備等產品均作為HBM、CoWos等芯片堆疊與先進封裝工藝的關鍵核心裝備，目前已在多家頭部客戶獲得應用。

關鍵支撐

精密陶瓷零部件不可或缺

在半導體制造設備中，精密陶瓷零部件的成本占比可達10%左右，雖然看似不起眼，卻是支撐整個半導體芯片制造的關鍵環節。

為實現高制程精度，先進陶瓷作為關鍵部件材料在以光刻機為代表的半導體裝備中得以大量應用。碳化硅陶瓷具有優良的常溫力學性能、優異的高溫穩定性以及良好的比剛度和光學加工性能，特別適合用于制備光刻機等集成電路裝備用精密陶瓷結構件，如用于光刻機中的精密運動工件臺、骨架、吸盤、水冷板以及精密測量反射鏡、光柵等陶瓷結構件等。其次，堇青石具備高的彈性模量，可以有效抵制平臺高速移動掃描過程中的變形，增加穩定性，實現輕量化需求，如今ASML公司已實現堇青石材料在光刻機移動平臺部件中的成熟應用及推廣。

除了應用于移動平臺，堇青石陶瓷還可以應用于反射鏡及掩膜版等，如荷蘭ASML，日本NIKON、CANON等公司大量采用微晶玻璃、堇青石等材料制備光刻機反射鏡。

另外，壓電陶瓷材料以其無磁性干擾、定位分辨率高、發熱量小等特點廣泛用于光刻機投影物鏡中像差補償鏡的定位執行器。目前商用的多層壓電驅動器多采用固溶或摻雜改性后鋯鈦酸鉛（PZT）基壓電材料。

在半導體刻蝕設備中，采用陶瓷材料制作的部件主要有窗視鏡，氣體分散盤，噴嘴，絕緣環，蓋板，聚焦環和靜電吸盤等。尤其是在等離子刻蝕環境中，對材料的耐腐蝕性要求極高，選擇高純Al2O3涂層、Y2O3涂層或Al2O3陶瓷作為刻蝕腔體和腔體內部件的防護材料。

陶瓷加熱器是半導體薄膜沉積等設備中的重要部件，其核心功能就是在鍍膜過程中實現對晶圓均勻加熱和溫度控制，使襯底表面上進行高精度的反應并生成薄膜。目前在現在越來越多的場景下，包括一些PVD沉積設備中，氮化鋁陶瓷加熱器和靜電卡盤功能會做到一起，這樣可以通過控制氮化鋁的體積電阻率，獲得大范圍的溫度域和充分的吸附力。

CMP是半導體制程中的關鍵技術，氧化鋁陶瓷具備致密質、高硬度、高耐磨性的物理性質，以及良好的耐熱性能、優良的機械強度，高溫環境仍具有良好的絕緣性、良好的抗腐蝕性等物理性能，是用于制作CMP設備關鍵耗材的絕佳材料。

而隨著HBM堆疊層數不斷攀升，先進封裝技術如CoWoS和Chiplet正成為競爭焦點，陶瓷劈刀等封裝工具的需求也在悄然增長。

來源：
中國電子報：AI驅動增長，國產半導體設備加速突圍
第一財經：存儲芯片漲價潮席卷全球，國產半導體設備迎歷史性機遇
廣州日報：一天一個價，漲幅遠超黃金!業內人士:離譜，但還會漲
國元證券：氮化鋁陶瓷加熱器和靜電卡盤:半導體沉積和刻蝕環節核心組件業務值得期待
中國粉體網、時代周報、經濟日報