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全球半導體設備龍頭 ASML 于 3 月 3 日正式發布新一代 EUV 光刻機 TWINSCAN NXE:3800D，該設備在光源功率、晶圓吞吐量和工藝精度上實現三重突破，可支持 3 納米及以下先進制程芯片的規模化生產，為全球半導體產業發展注入關鍵動力。
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據 ASML 官方披露，新款光刻機采用升級版極紫外光源技術，光源功率提升至 600W，較上一代產品加工效率提高 30%，單臺設備年產能可達 6 萬片晶圓。同時，通過優化光學系統和工作臺穩定性，該設備的套刻精度控制在 1 納米以內，能夠滿足高性能計算芯片、先進制程手機芯片等高端產品的制造需求。
行業分析指出，當前全球芯片產業正處于先進制程競爭的關鍵階段，3 納米制程已成為頭部企業的必爭之地。ASML 新一代設備的推出，將有效緩解臺積電、三星等廠商的先進制程產能壓力，加速高端芯片的國產化替代進程。國內半導體產業鏈相關企業表示，已與 ASML 就新設備采購事宜展開磋商，預計年內將實現首批設備交付。
值得關注的是，該設備在能耗控制上實現重大突破，單位晶圓加工能耗降低 25%，符合全球半導體產業綠色低碳的發展趨勢。
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