大家都知道,目前大規模的芯片制造,均是基于光刻技術,即先制造一張掩膜版,然后光線照射掩膜版,進行圖案復制,將掩膜版上的芯片電圖路,轉移至硅晶圓上去。
可見,在光刻技術中,掩膜版是母版,是芯片制造的“高精度底片”。
那么問題就來了,掩膜版又是怎么制造的,用什么設備?其實目前主要用的是“電子束光刻機”。
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電子束光刻機,是直接用高速電子束轟擊光刻膠,然后直接就能夠在晶圓表面“雕刻”電路圖案,制造出光掩膜版。
從這里大家也可以看出,就算你有EUV光刻機,如果沒有電子束光刻機,制造不出掩膜版,那么相當于沒有芯片母版,也無法制造出芯片來。
所以電子束光刻機,還是相當重要的,之前國內一直從日本進口,日本的JEOL與NuFlare,向中國提供的電子束光刻機,分別對應著40nm及以下和7nm及以下的工藝節點。
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但這樣依賴日本的設備,肯定不是辦法,所以一直以來,國內也在努力的研發自己的電子束光刻機。
而在2025年,一是中國電子集團第48研究所,制造出了可變束技術的電子束光刻機,雖然分辨率為50nm,但在成熟的芯片工藝上,我們可以實現國產替代了。
另外,浙大余杭量子研究院,更是研發出了先進的電子束光刻機-“羲之”,這臺光刻機精度達到0.6nm,線寬8nm,對應的是先進芯片工藝。
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并且這兩臺設備,可不是實驗室設備,不是PPT,而是已經量產,并且發貨至客戶應用于實際生產的設備。
所以很明顯,目前國產電子束光刻機門檻已經被突破了,接下來,我們會有更多的,技術更先進的電子束光刻機推出來。
當然,正如前面所言,電子束光刻機因為速度慢,且容易受干擾,對環境要求高,確實不適合大規模的芯片制造,主要用于掩膜版的制造,替代不了光刻機,但它也是芯片制造領域中必不可少的設備,如今我們有了突破,想必整個芯片產業的格局,可能也會被改變。
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