英特爾第三代酷睿Ultra處理器亮相，一場算力革命正在發生

本次英特爾實現的技術突破，核心源于兩項關鍵創新：全環繞柵極技術與背面供電架構。

3月12日，以“重塑芯標桿”為主題的第三代英特爾酷睿 Ultra 處理器新品分享會在上海召開，英特爾正式發布面向AI PC時代的全新處理器，以技術融合之力，重新定義行業性能與能效的標桿。

會上，英特爾副總裁兼中國區軟件工程和客戶端產品事業部總經理高嵩發表演講。高嵩表示，站在2026年的時間節點，我們正身處行業發展的關鍵轉折點。產品迭代日新月異，技術發展一日千里，AI技術早已滲透生活的方方面面，我們不僅能清晰感知到這場變革的到來，更能切實體會到技術革新帶來的全新價值。

聚焦中國市場，這片熱土擁有著獨一無二的發展優勢：全球最敏銳的消費群體、最豐富多元的應用場景、最勇于突破創新的產業生態。每一次技術革命，都能在這里被快速檢驗、放大并最終落地生根。行業從不缺少機遇，真正的關鍵，在于能否率先洞察、搶先把握。

正是基于對時代趨勢的精準判斷，在2026年這個行業轉折點，英特爾正式推出第三代酷睿 Ultra處理器，以硬核技術回應時代挑戰，完美詮釋“工欲善其事，必先利其器”的深刻內涵。而支撐這款處理器的核心根基，正是英特爾18A制程工藝，它憑借顛覆性創新，將計算機行業帶入了一個全新的發展時代。

本次英特爾實現的技術突破，核心源于兩項關鍵創新：全環繞柵極技術與背面供電架構。

在半導體領域，晶體管的電流開關與控制，是器件實現功能的核心。行業對摩爾定律的不懈追求，推動著晶體管持續向微型化發展，尺寸不斷縮小的背后，是性能的提升，也伴隨著全新的技術難題。全環繞柵極技術，是英特爾自2012年推出FinFET技術后，迎來的又一次里程碑式晶體管架構革新。

這項技術從四個方向全方位包裹電流通道，實現了對電阻前所未有的精準把控，讓導通電流更大、開關速度更快，無論高壓還是低壓場景，晶體管響應速度都實現大幅飛躍。同時，縱向堆疊的設計讓同等芯片面積可容納更多晶體管，直接帶來性能的跨越式提升；柵極寬度可靈活調節的特性，更讓產品設計實現性能與功耗的最優平衡，完成了晶體管層面的革命性突破。

解決了晶體管的技術難題，英特爾并未停下創新的腳步。長期以來，供電電路與信號電路擁擠在晶圓正面，相互干擾、擠占空間，成為行業難以攻克的痛點。此次，英特爾創新性采用背面供電架構，將供電電路從晶圓正面遷移至背面，徹底破解這一行業難題。

供電電路專屬晶圓背面，有效降低電壓損耗、大幅提升供電效率，為性能提升筑牢基礎；晶圓正面則專注信號傳輸，線路空間更充裕，信號傳輸更純凈、高效，讓兩大核心電路各司其職、各行其道、各盡其能。

值得驕傲的是，英特爾是全球首家將全環繞柵極技術與背面供電架構深度融合的半導體企業。兩項顛覆性技術的強強聯合，絕非簡單的1+1，而是實現了性能的顯著提升與超30%的晶體管密度提升，將半導體技術推向全新產業高度，引領行業邁入非線性變革的全新機遇期。

一款真正領先的產品，既需要頂尖的制程工藝加持，也離不開卓越的架構設計支撐。唯有制程與架構深度協同、雙向賦能，才能釋放技術的全部潛力，為行業發展、生態創新注入源源不斷的核心動力。

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