從給圖紙也造不出，到現在不能讓中國研發光刻機，歐美開始焦慮了

前沿導讀

2001年，中科院院士、北京大學微電子研究院院長王陽元開展了一場關于“微電子科學技術和集成電路產業”的報告，該報告重點分析我國發展微電子和集成電路產業的必要性、緊迫性、措施和建議。

隨后，制造芯片的光刻機設備成為了十五期間首要進行攻關的項目。次年，光刻機項目被列入國家863計劃中，上海微電子裝備集團也因此正式成立。

上微公司的總經理賀榮明先生，主動帶隊去歐美地區展開合作。但是當賀榮明先生對國外企業表示中國人也要做光刻機的時候，外國專家滿眼不屑的對賀榮明先生說到：“就是給你們全套圖紙，你們也做不出來。”

從當年給圖紙也造不出來，到現在ASML等歐洲企業主動要求美國政府放松出口管制，通過出口特定的設備來壓制中國自主設備的發展，這其中表現出來的是歐美企業對中國科技發展所產生的焦慮感。

降價售賣

上海微電子在封裝光刻機領域占據國內80%的市場空間，在制造LED/MEMS/功率器件所用的光刻機中，上海微電子的國產光刻機已經在性能指標上面達到了領先水平，其LED光刻機市場占有率第一。

盡管國產光刻機已經從當年“給圖紙也造不出”，發展成如今在部分環節實現國產化替代，但是光刻機分為前道設備以及后道設備。前道設備主要用于芯片制造的曝光，而后道設備用于芯片的成品封裝步驟。

從技術水平和產業鏈上面來看，前道光刻機的重要性和技術難度遠大于后道光刻機。

上海微電子已經完成了90nm前道光刻機的制造，但是荷蘭ASML、日本的尼康、佳能等企業均在前道光刻機領域摸爬滾打了幾十年，并且ASML已經成為了全球前道光刻機的龍頭老大。

只是依靠制造銷售光刻機這個單一業務，ASML穩坐全球晶圓設備制造商全球第一的位置，甚至其創造的經濟利益要比一眾美國的大型裝備集團還要高。

由此可見，要實現國產先進芯片的自主可控，先進技術的前道光刻機是必須要面對的問題。

據《瞭望智庫》此前發布的報道指出，每當中國企業宣布在光刻機領域有所進展的情況下，荷蘭ASML就立即降價甩賣同代和上代的光刻機產品，提前一步搶占中國市場，擠壓中國本土設備的市場空間。

參考資料：
「鏈接」

• https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=Mzk5MDY0OTgwMg==&mid=2247682333&idx=1&sn=d723ee0f1a85b72e09cb5316c3d1f895&source=41&poc_token=HJjfsGmjxFXuYtIUf8D7nY0alb-Kh-TR12efmXmd

盡管我國在2024年公布65nm分辨率光刻機依然還是干式ArF設備，與ASML最先進的EUV光刻機技術差距較大，但是從當年分辨率90nm的設備發展到如今分辨率65nm的設備，我們只用了6年時間。

這也就是說，在這6年的時間里，我們一直在提升國產光刻機的技術水平。甚至我們已經公布的干式光刻機，在性能指標上已經超過了沒有ArF光刻機的日本佳能。由于佳能主攻納米壓印技術，導致其干式光刻機的技術進步幾乎停滯，這也讓中國企業有了追趕的空間。

難買又難造

美國對中國實施出口管制的時間，最早可以追溯到“巴黎統籌委員會”以及后來的“瓦森納協定”。

瓦森納協定的限制措施按照N-2的原則執行，只允許比最先進技術落后兩代的產品設備出口給中國，不允許出口最先進的技術。

而設備出口到實際使用，中間還需要經過一段時間的審批以及技術調試。如果將這段時間算在內，那么中國企業使用外國設備的時候，相當于比外國最先進的技術落后三代。

盡管制造7nm芯片并不完全依賴于EUV光刻機這一條路線，但是EUV光刻機的加入，可以極大提升其制造效率和芯片良品率，具備更良好的經濟性條件。

此前有一種說法是如果海外的設備全部停止工作，那么中國并不是完全沒有芯片能用，國產光刻機也可以批量制造成熟芯片來保證基礎設施正常運行，只不過在先進芯片領域就要落后許多了。

成熟芯片保證整個國家的正常運行，而先進芯片則是開啟新時代科技的技術競爭。一旦無法進入到先進技術的賽道上面，國外企業將會掌握先進技術的先發優勢，申請技術專利并以此來封鎖我們發展先進技術的機會。

而國產先進的制造設備，就是我們踏入先進技術賽道的“敲門磚”。

前中興通訊副總經理、復旦大學中國研究院特邀評論員汪濤在采訪中指出，對于先進的EUV光刻機這種技術產品，它的技術難度高、投入資源大、市場空間有限，ASML每年的EUV出貨量也只是在五六十臺左右。對于這種設備規模較小的產業，我們本身是不太想涉足的，我們更傾向于發展那些規模大、市場需求量多的產品。

但是美國的制裁讓我們無法購買到先進設備，我們只能被動走上自主開發的技術路線。一旦我們有決心發展某些領域，那么這個領域當中的其他國外企業都要做好與中國企業競爭的緊迫感。