三星：Groq 3 LPU正在生產，訂單量超預期！

3月17日消息，據韓國媒體Business korea報道，三星電子已確認正在開發第八代高帶寬內存（HBM5），其底層芯片（Base die）將采用2nm工藝。對于第九代HBM5E，該公司計劃提前在核心芯片上應用基于1D（第七代10納米級）工藝的DRAM。

同時，英偉達新款人工智能（AI）推理專用芯片“Groq 3 語言處理單元（LPU）”已委托三星晶圓代工，并采用4nm工藝生產。三星晶圓代工事業部總裁兼三星晶圓代工負責人韓進萬對穩定的供貨充滿信心，他表示：“我們的4nm工藝技術絕不遜色。”

三星電子設備解決方案（DS）事業部存儲器開發執行副總裁黃相俊和總裁韓進萬于當地時間3月16日在美國加利福尼亞州圣何塞舉行的GTC 2026大會三星電子展位上發表了上述講話。

△當地時間3月16日，在美國加利福尼亞州圣何塞舉行的GTC 2026大會上，英偉達首席執行官黃仁勛（中）與三星電子晶圓代工事業部總裁韓進萬（右）和存儲器開發執行副總裁黃相俊合影留念。黃仁勛在三星代工生產Groq 3 LPU晶圓上親筆簽名并寫上“GROQ SUPER FAST”，在三星HBM4晶圓上寫上“AMAGING HBM4!”。這兩款產品均由三星制造。

三星電子半導體部門的關鍵高管親自到訪英偉達主辦的 GTC 展會現場，講解產品并參與公共活動，這種情況并不常見。

首先，針對記者關于下一代 HBM 所采用的工藝技術的問題，擔心電子執行副總裁黃相俊表示：“HBM5 的核心芯片采用 1c（第六代 10nm 級）工藝，但基礎芯片是利用三星晶圓代工的 2nm 工藝開發的。”

該計劃是在保留第六代 HBM4 引入的 1c 工藝的同時，將更先進的 2nm 工藝應用于基礎芯片。

此前，三星電子搶先將領先于競爭對手的1c DRAM技術應用于HBM4核心芯片，并采用三星晶圓代工的4nm工藝制造了基礎芯片。基于此，該公司穩定實現了業界領先的性能，并于上個月率先向英偉達供應了HBM4。

黃相俊表示：“對于 HBM5E，核心芯片將采用 1d 納米工藝，而基礎芯片將采用三星晶圓代工的 2nm 工藝。”他補充道：“由于器件性能將不斷提升，我們將繼續把最先進的工藝應用于 HBM5 和 HBM5E。”

韓進萬也是自 2024 年以來首次訪問 GTC，并在三星電子展位上親自介紹了其公司的代工技術。

他特別著重解釋了“Groq 3 LPU”，此前英偉達首席執行官黃仁勛在當天的 GTC 2026 主題演講中提到“三星電子正在制造它”，這引起了人們的極大興趣。

韓進萬表示：“我們目前正在平澤工廠使用我們的 4nm 晶圓制造工藝生產 Groq 3 LPU。”他還補充道：“今年的訂單量比我們預期的要多。”

他繼續說道：“三星的HBM4基礎芯片也是采用4nm工藝制造的，所以我認為未來對4nm工藝的需求將大幅增長。”

關于英偉達委托三星晶圓代工生產 Groq 3 LPU 的背景，韓進萬表示：“早在 2023 年英偉達收購 Groq 之前，我們和 Groq 就已經開始合作了。”他補充道：“我們的工程師直接參與其中，甚至還協助了設計工作。”

他強調說：“當英偉達和 Groq 開始合作時，我們擔心他們可能會使用不同的代工廠，但他們肯定評估了我們芯片的性能，并得出結論，認為它具有足夠的潛力。”他補充道：“我們的 4nm 工藝絕不遜色。”

當被問及 Groq 3 LPU 何時開始貢獻收益時，他回答說：“量產將于第三季度末或第四季度初開始。”他還補充道：“我們需要觀察市場反應，但我相信明年對 Groq 3 LPU 的需求將真正增長。”

編輯：芯智訊-林子