美光：DDR5利潤率現已超過HBM

HBM和傳統DRAM目前利潤都很豐厚，但通用DRAM的利潤率已經超過了HBM。

美光科技公司表示，包括DDR5在內的傳統DRAM的利潤率最近已經超過了高帶寬內存（HBM）的利潤率，這反映了長期合同結構和供應緊張狀況的綜合影響。

據美光公司稱，HBM 和傳統 DRAM 目前利潤都很豐厚，但通用 DRAM（包括用于 PC 和智能手機的產品）的利潤率已經超過了 HBM。HBM 采用先進封裝技術將多個 DRAM 芯片堆疊在一起，通常制造工藝更復雜，價格也更高。自去年以來，受英偉達和 AMD 等公司推出的 AI 加速器推動，對 HBM 的需求激增。

利潤率動態變化的原因主要有兩個。

首先，HBM 的供應越來越受長期協議的制約，美光將其稱為戰略客戶協議 (SCA)。首席商務官 Sumit Sadana 表示，HBM 的價格通常在年初之前就已確定，2026 年出貨量的很大一部分是在去年年底定價的。雖然此類協議能夠提供穩定且可預測的收入，但除了超出合同供應量的增量生產外，它們限制了存儲器制造商立即從價格快速上漲中獲利的能力。

其次，傳統DRAM市場受益于強勁的需求和受限的供應。HBM的生產比標準DRAM消耗更多的晶圓產能，從而減少了通用產品的可用供應。與此同時，數據中心服務器和消費電子設備的需求依然強勁，導致供應短缺。

受此影響，DRAM現貨價格飆升。美光表示，DRAM平均售價近期上漲超過60%，使得傳統DRAM利潤率能夠反映實時價格上漲，而HBM價格則基本受合同約束。

盡管DRAM短期內具有盈利優勢，但美光表示，公司不會采取純粹以利潤為導向的產品分配策略。相反，公司正在推行一種平衡的戰略，以滿足客戶的全部系統需求，尤其是在人工智能服務器領域。

現代人工智能服務器部署需要HBM和DDR5 DRAM的組合。如果只優先考慮利潤率更高的產品，可能會延遲客戶發貨，最終損害美光自身的營收表現。

首席執行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)強調了產品類別之間需要保持平衡，并指出大規模系統出貨需要“自然平衡”，而且 HBM 和 DRAM 必須作為完整解決方案的一部分一起供應。
例如，英偉達最近推出的Groq-3 語言處理單元 (LPU) 僅使用 SRAM。雖然 SRAM 的單引腳帶寬高于 HBM，但其容量不足以滿足 AI 工作負載的需求。英偉達通過將 Groq-3 與其 Vera Rubin AI 平臺相結合來解決這一限制，Vera Rubin AI 平臺集成了高容量 HBM，從而融合了兩種架構的優勢。

通過這種方式，美光希望其數據中心產品組合能夠實現全面增長，包括HBM、DDR5、低功耗 DRAM (LPDDR)、小外形雙列直插式內存模塊 (SODIMM) 和固態硬盤 (SSD)。
Mehrotra表示，公司的長期戰略是保持跨多個行業的多元化供應商地位，并補充說，這一方針將成為美光公司業績和整個行業增長的關鍵驅動力。

美光計劃在其最近從中國臺灣晶圓代工廠領軍者之一力積電所收購的銅鑼旗艦晶圓廠址之一建設第二座大型芯片制造設施。美光在一份最新聲明中表示，這座新芯片制造設施將幫助其顯著擴大最先進的數據中心級別DRAM系列產品的供應規模，其中主要包括高帶寬存儲(即HBM存儲系統)，以支持持續激增的人工智能算力需求。美光還表示，已正式完成對力積電銅鑼P5晶圓廠大型廠址的收購，并且新的第二座設施規模將與其位于苗栗的現有晶圓廠規模基本相近。

新建設計劃預計將于美光2026財年年底之前啟動。從美光最新的增產雄心壯志來看，該存儲芯片巨頭計劃趁AI驅動的存儲格局供需仍顯著偏緊時，為HBM以及服務器級別DRAM系列產品需求升溫提前備產，盡快把新增產能變成大規模出貨與ASP/實際利潤。

美光加速擴產存儲芯片之際，正值“存儲超級周期”席卷全球，人工智能數據中心對于HBM、服務器級別DDR5存儲以及企業級高性能SSD/HDD的無比強勁需求堪稱“無止境”。在野村以及花旗、摩根士丹利等華爾街金融機構們的策略師團隊看來，這波存儲芯片超級需求周期有望持續至2028年初期。

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