全球前10晶圓廠營(yíng)收排名：中國(guó)占據(jù)7個(gè)席位，美國(guó)只有1家企業(yè)上榜

前沿導(dǎo)讀

據(jù)《Trend Force集邦咨詢》發(fā)布的全球晶圓廠營(yíng)收排名顯示，在前10名當(dāng)中，來(lái)自于中國(guó)的晶圓廠數(shù)量達(dá)到了7家，分別是中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電、臺(tái)聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積電，以及來(lái)自于中國(guó)大陸的中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、合肥晶合。

而美國(guó)晶圓廠只有一家格芯（格羅方德）進(jìn)入了前10排名，剩下則是韓國(guó)的三星以及以色列的高塔半導(dǎo)體。

市場(chǎng)營(yíng)收

在全球晶圓廠營(yíng)收規(guī)模中，臺(tái)積電毋庸置疑成為了行業(yè)龍頭，其2025年度總營(yíng)收達(dá)到了1200億美元以上，占全球晶圓廠總市場(chǎng)規(guī)模的69.9%。該營(yíng)收水平較前一年增加了36%，并且臺(tái)積電一家賺取的營(yíng)收利益，比其他9家晶圓廠加在一起還要多出3倍左右。

臺(tái)積電受益于算力芯片與先進(jìn)邏輯芯片的市場(chǎng)增長(zhǎng)，幾乎吃掉了全球7nm及以下先進(jìn)制程芯片90%以上的產(chǎn)能。

其次就是韓國(guó)三星與中國(guó)大陸的中芯國(guó)際，三星此前與臺(tái)積電屬于激烈的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，雙方的制程工藝不分先后。但是臺(tái)積電制程技術(shù)的穩(wěn)定性與高產(chǎn)能因素是三星無(wú)法達(dá)到的水平，久而久之三星的工藝基本只是滿足于韓國(guó)本土的需要，國(guó)際客戶還是以臺(tái)積電的技術(shù)為主，其次才會(huì)考慮三星。

而中芯國(guó)際作為中國(guó)大陸地區(qū)規(guī)模最大的晶圓廠之一，受美國(guó)出口管制的影響，本土化需求大幅度提升。本土市場(chǎng)幾乎占據(jù)了中芯國(guó)際總規(guī)模的80%以上，單靠?jī)?nèi)需市場(chǎng)的需求，就把中芯國(guó)際的營(yíng)收規(guī)模拉到了全球晶圓廠第3名的成績(jī)，這個(gè)成績(jī)放在全球范圍內(nèi)任何一個(gè)其他地區(qū)都是無(wú)法完成的任務(wù)。

而且中芯國(guó)際還是中國(guó)大陸地區(qū)已公布的唯一一個(gè)具備Fin FET晶體管生產(chǎn)線的晶圓廠，該晶體管技術(shù)是14nm、7nm及以下制程工藝的基礎(chǔ)技術(shù)結(jié)構(gòu)。

同樣依靠?jī)?nèi)需市場(chǎng)拉動(dòng)營(yíng)收規(guī)模的還有華虹集團(tuán)，華虹集團(tuán)旗下的主力晶圓廠就是華力。

華力擁有華虹5廠和華虹6廠兩大12英寸支柱生產(chǎn)線，華虹5廠負(fù)責(zé)65nm—40nm制程平臺(tái)，華虹6廠負(fù)責(zé)28nm、22nm制程平臺(tái)。并且5廠和6廠的制造生產(chǎn)線均具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，華虹集團(tuán)已經(jīng)成為了我國(guó)低功耗傳感器、存儲(chǔ)芯片、射頻芯片的核心制造商。

前臺(tái)積電研發(fā)處長(zhǎng)、前中芯國(guó)際獨(dú)立非執(zhí)行董事楊光磊在訪談中指出，中國(guó)大陸地區(qū)的芯片產(chǎn)業(yè)不用去跟海外企業(yè)比，因?yàn)橹袊?guó)本土的內(nèi)需市場(chǎng)龐大，而且還是全球最大的消費(fèi)市場(chǎng)，只需要滿足內(nèi)需市場(chǎng)的需求，中國(guó)芯片就能形成一套屬于自己的經(jīng)濟(jì)生態(tài)鏈。這放在全球任何一個(gè)其他國(guó)家身上，都是沒(méi)辦法達(dá)到的水平。

市場(chǎng)擴(kuò)張

美國(guó)作為芯片的發(fā)明國(guó)和最早實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的國(guó)家，如今的制造規(guī)模卻落后國(guó)際水平許多。在全球前10大晶圓廠的營(yíng)收規(guī)模當(dāng)中，只有格羅方德一家企業(yè)上榜，排在中國(guó)華虹集團(tuán)前面。

格羅方德脫身于美國(guó)AMD，2017年格羅方德宣布投資90億美元，在中國(guó)成都啟動(dòng)7nm制程工藝的研發(fā)，但是該項(xiàng)目在第二年就宣告放棄。

如今美國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，先進(jìn)制造技術(shù)完全依賴于臺(tái)積電在美國(guó)建設(shè)的分工廠，英特爾雖然掌握了18A和14A工藝，但是18A工藝的CPU芯片才剛剛完成量產(chǎn)不久，還需要等待市場(chǎng)的驗(yàn)證，目前并未創(chuàng)造太高的市場(chǎng)價(jià)值

為了重塑美國(guó)在先進(jìn)芯片制造業(yè)上的領(lǐng)先地位，美國(guó)一方面拉攏臺(tái)積電在美國(guó)建廠，另一方面花高價(jià)給英特爾采購(gòu)第二代高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，企圖用最先進(jìn)的設(shè)備在制造技術(shù)上彎道超車。

先進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)的資金投入高，而且見(jiàn)效時(shí)間長(zhǎng)，短期內(nèi)無(wú)法實(shí)現(xiàn)盈利，需要走持久戰(zhàn)的準(zhǔn)備。

相對(duì)于美國(guó)這種以“脅迫”方式來(lái)吸引臺(tái)積電在美國(guó)建廠的行為，中國(guó)企業(yè)發(fā)展先進(jìn)技術(shù)的方法就更加的清晰明白。

依托智能家居、汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，行業(yè)內(nèi)對(duì)于成熟芯片的需求也同步增大。既然先進(jìn)技術(shù)被封鎖，那就先擴(kuò)充成熟芯片產(chǎn)能，搶占規(guī)模化優(yōu)勢(shì)。

低功耗傳感器、模擬芯片、控制芯片等半導(dǎo)體器件對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的需求很低，幾乎都是采用成熟制程工藝制造的產(chǎn)品。對(duì)于成熟工藝來(lái)說(shuō)，90nm、65nm都是非常夠用的技術(shù)，而40nm或者28nm工藝則是可以支持器件實(shí)現(xiàn)更多復(fù)雜的功能。

中國(guó)本土的芯片技術(shù)已經(jīng)在28nm及以上工藝中實(shí)現(xiàn)了自主可控，不會(huì)因?yàn)槊绹?guó)在某一個(gè)設(shè)備或者軟件上面卡脖子而無(wú)法制造芯片。

依托成熟芯片所帶來(lái)的大規(guī)模效應(yīng)，中國(guó)晶圓廠的產(chǎn)能拉滿，在滿足本土市場(chǎng)的需求之外開(kāi)始出口到全球其他地區(qū)。依靠銷售成熟芯片，中國(guó)企業(yè)不但可以獲得源源不斷的經(jīng)濟(jì)收入，還可以將所獲的收入投入到先進(jìn)芯片的研發(fā)當(dāng)中。