大摩：舊內(nèi)存估值下修不可避免，AI時代，“用不起”已成核心約束

盡管AI算力需求持續(xù)釋放，內(nèi)存廠商正迎來結(jié)構(gòu)性分化。

摩根士丹利在最新報告中指出，伴隨KV Cache壓縮技術(shù)、服務(wù)器系統(tǒng)優(yōu)化及長期協(xié)議（LTA）談判推進(jìn)，傳統(tǒng)內(nèi)存（Legacy Memory）行業(yè)面臨不可避免的估值下修壓力。

雖然市場對AI芯片的熱情未消退，但客戶對DRAM高價的承受力已構(gòu)成實(shí)質(zhì)性約束。在此背景下，大摩進(jìn)一步下調(diào)DRAM相關(guān)廠商目標(biāo)價，并重申對傳統(tǒng)NAND Flash的偏好優(yōu)于DDR4

AI壓縮技術(shù)沖擊：DRAM需求邏輯生變

市場此前對TurboQuant等模型壓縮技術(shù)的沖擊可能存在過度反應(yīng)，但軟件優(yōu)化對硬件需求的影響已不容忽視。在中國臺灣的Computex展會上，Skymizer等公司展示了其權(quán)重重壓縮技術(shù)，能夠顯著加快推理速度。盡管這些技術(shù)目前尚未像TurboQuant那樣直接作用于KV Cache，但其發(fā)展路徑清晰。

更重要的是，在深圳CFM峰會上，多家閃存供應(yīng)商已推出旨在減少系統(tǒng)DRAM占用的解決方案。例如，Longsys的HLC技術(shù)、Phison與iGPU結(jié)合的AI PC方案以及Tencent Cloud的DRAM優(yōu)化方案，均指向同一趨勢：系統(tǒng)廠商正通過架構(gòu)創(chuàng)新來降低對DRAM容量的依賴。考慮到當(dāng)前DRAM每GB成本是NAND的50倍，這種優(yōu)化動力十分強(qiáng)勁。

企業(yè)需求旺盛，但價格與產(chǎn)能現(xiàn)隱憂

企業(yè)級Token需求持續(xù)攀升，邊緣AI正成為內(nèi)存市場新的增長引擎。與需求放量相伴的是DRAM價格高企，當(dāng)前DDR4現(xiàn)貨價格已逐步接近階段性高點(diǎn)。與此同時，國內(nèi)主要廠商的產(chǎn)能擴(kuò)張，疊加行業(yè)新產(chǎn)能計劃于2027年下半年陸續(xù)釋放，為未來價格走勢增添了不確定性。

長期協(xié)議雖能為未來數(shù)年價格提供一定支撐，并在一定程度上夯實(shí)股價底部，但其鎖定價格的“頂價”效應(yīng)也可能制約近期的價格上行彈性。基于此，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計相關(guān)產(chǎn)品平均銷售價格將從2027年三季度起進(jìn)入環(huán)比下行通道，并據(jù)此大幅下調(diào)了2028年的盈利預(yù)測。

純NAND優(yōu)于DDR4，聚焦AI新機(jī)遇

摩根士丹利普遍下調(diào)了與DRAM相關(guān)的傳統(tǒng)內(nèi)存廠商目標(biāo)價。報告指出，估值倍數(shù)的下修是主要調(diào)整方向，這意味著即便短期價格未現(xiàn)大幅回落，相關(guān)標(biāo)的的估值中樞也已出現(xiàn)系統(tǒng)性下移。

從配置邏輯看，純NAND廠商受沖擊相對有限，在周期上行階段甚至有望展現(xiàn)更強(qiáng)的盈利彈性；而具備AI相關(guān)技術(shù)能力的公司，則因其在先進(jìn)封裝等領(lǐng)域的布局獲得增持評級。

雖然DDR4相關(guān)廠商在2026年仍可受益于供給短缺，但進(jìn)入2027年后，伴隨競爭加劇與價格下行風(fēng)險上升，其盈利預(yù)期將面臨更大壓力，這也是維持“平配”評級并同步下調(diào)目標(biāo)價的核心邏輯所在。