《科創板日報》4月16日訊 據《韓國先驅報》今日報道,SK海力士已向其美國存托憑證(ADR)承銷團提議將目標上市日期定在6月或7月。
據悉,SK海力士正加快相關程序,或推動這家存儲巨頭于今年年中赴美股上市。上個月,該公司已向美國證券交易委員會(SEC)提交申請,目標是在2026年前推進美國存托憑證(ADR)的上市。
ADR是由美國存托銀行發行的可轉讓證券,代表非美國公司在美股市場交易的股份。今年1月,SK海力士注銷了價值12.24萬億韓元(約合83億美元)的庫存股,因此預計將以發行新股的形式進行ADR上市。市場分析認為,其目標是盡可能縮短上市周期,以強化在全球投資市場的海外募資力度。
據此前報道,SK海力士意圖通過赴美上市籌集10萬億至15萬億韓元(約合67至100億美元)的資金。募資用途為加大人工智能基礎設施的建設,比如在韓國龍仁市建設半導體集群,以及擴大存儲產品的產能。
需要注意的是,SK海力士已決定在2030年底前投資21.6萬億韓元(約合147億美元),用于龍仁半導體集群一期晶圓廠的建設。若計入2024年7月公布的設施投資成本,則該項目總投資額將達到31萬億韓元(約合210億美元)。SK海力士的戰略目標是在2050年前在龍仁投資600萬億韓元(約合4072億美元),并運營四座晶圓廠。
作為存儲超級周期的最大受益者之一,過去一年SK海力士股價上漲了565%。但根據今年的盈利預測,證券機構給其的遠期市盈率僅在3-4倍左右,與美光(8倍)、閃迪(19倍)等美股存儲巨頭相比尚有差距。
韓國資產管理公司Eugene Asset Management的首席投資官Ha SeokKeun表示:“一旦美國機構投資者通過ADR獲取對SK海力士人工智能基礎設施的投資渠道,其在高帶寬內存(HBM)領域占據的主導地位所應得的合理估值溢價,最終就能在公司的估值中得以體現。”
另一方面,SK海力士正對其HBM供應作出調整。其計劃降低今年向英偉達供應的第六代高帶寬內存(HBM4)的出貨量,預計比原計劃減少約20%至30%。業內人士猜測,或是由于英偉達Vera Rubin量產面臨困難所致。同時,SK海力士將提高HBM3E或其他服務器級LPDDR的出貨量,內存總需求并未減少。
關于存儲未來景氣持續性,中信證券稱,當前存儲原廠擴產面臨主客觀雙重約束,主觀方面,原廠歷經周期寒冬后高度克制,資本支出上修主要聚焦2027年后長期基建,新增產能釋放時點顯著滯后;客觀方面,擴產受制于諸多剛性的物理瓶頸,主要包括潔凈室建設周期漫長、核心設備交期拉長以及HBM的“產能吞噬效應”。
該機構表示,Agent AI時代存力為核心,行業迎長周期范式轉移,AI驅動的需求爆發與原廠擴產錯位致使缺貨常態化,預計供不應求至少持續至2027年,漲價貫穿2026全年。看好存儲產業趨勢,核心推薦存儲原廠及貼近原廠的設計公司;關注存儲模組公司,短期業績爆發能力強。
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