ASML有點郁悶！臺積電依然拒絕，光刻機轉(zhuǎn)折點到了

荷蘭光刻機企業(yè)ASML憑借浸沒式DUV超越了日本“光刻機雙雄”尼康和佳能，之后又憑借獨家壟斷的尖端EUV光刻機拉開更大差距，坐穩(wěn)了全球光刻機霸主的地位。

盡管如此，ASML并沒有停止前進(jìn)的腳步，在普通EUV的基礎(chǔ)上又更進(jìn)一步，做出了更先進(jìn)的High-NA EUV。然而，ASML如今卻有點郁悶，因為臺積電依然拒絕！

從浸沒式DUV光刻機開始，ASML和臺積電這兩家就建立了良好的合作關(guān)系，因為浸潤式光刻技術(shù)是臺積電技術(shù)專家林本堅發(fā)明的，然后ASML冒險進(jìn)行了嘗試應(yīng)用。

同時，臺積電也給予大力支持，率先將浸沒式DUV投入使用，才讓ASML打開市場。

有了親密合作關(guān)系后，當(dāng)ASML推出的先進(jìn)EUV光刻機后，臺積電也就擁有了優(yōu)先購買權(quán)。截至目前，ASML共出貨約200臺EUV，僅臺積電一家就買走了107臺。

也就是說，臺積電是擁有EUV光刻機數(shù)量最多的晶圓企業(yè)，也是目前全球唯一擁有超百臺EUV的半導(dǎo)體巨頭，自2019年開始，基本上每年購買超25臺EUV光刻機。

正是因為臺積電擁有最多數(shù)量的先進(jìn)EUV光刻機，數(shù)量超過了三星、英特爾、SK海力士等其他晶圓企業(yè)之和，也才有了掌控全球超過90%的5nm以下先進(jìn)芯片產(chǎn)能。

然而，當(dāng)ASML更進(jìn)一步，推出更先進(jìn)的High-NA EUV時，臺積電態(tài)度突然就變了！

EUV光刻機發(fā)展到現(xiàn)在，嚴(yán)格來講其實也就兩代，新一代EUV推出后，原來的EUV就被稱為普通EUV，數(shù)值孔徑為0.33，相比新一代EUV，被稱之為LOW-NA EUV。

因為新一代EUV命名為High-NA EUV，其數(shù)值孔徑為0.55，性能和功能更先進(jìn)，當(dāng)然售價也更高，普通EUV約1.5億美元一臺，而High-NA EUV要4億美元一臺。

普通EUV主要用于7-3nm制程芯片制造，2nm及以下芯片就要用High-NA EUV了。

如果繼續(xù)像之前那樣晶圓廠們紛紛搶購EUV的力度，那么光刻機巨頭ASML可就大賺特賺了，畢竟一臺High-NA EUV就4億美元，差不多能頂三臺普通EUV的價格。

但這個如果并沒有發(fā)生，恐怕ASML也沒有料到，最大客戶臺積電竟然會不那么積極。

英特爾、三星都已經(jīng)先后跟ASML下單High-NA EUV，尤其是英特爾第二臺已經(jīng)基本安裝完畢，18A制程芯片都用它量產(chǎn)了，但臺積電依然沒動靜，遲遲沒購買意思。

更令A(yù)SML感到郁悶的是，臺積電竟然在荷蘭召開的技術(shù)分析會上公開表示，接下來即將量產(chǎn)的2nm用現(xiàn)有EUV就能實現(xiàn)，且1.4nm也不計劃采用High-NA EUV。

這意思是未來幾年內(nèi)兩代都不計劃采用High-NA EUV，那就是2030年前不會購買。

關(guān)鍵是這還沒完，近日臺積電方面又表示，不僅1.4 nm制程不計劃采用ASML的高數(shù)值孔徑High-NA EUV，連1nm制程也不會采用，再往下的制程就看情況再說了。

據(jù)臺積電方面介紹，他們會繼續(xù)使用原有的普通EUV，采用一種新的“光掩模護(hù)膜”技術(shù)，來推進(jìn)1.4nm、1nm制程芯片的研發(fā)與生產(chǎn)， 不利用High-NA也能做到。

雖然臺積電依然拒絕采用High-NA EUV，但也不是完全拒絕，只是表示未來在必要的時候會向ASML采購，當(dāng)然必須是成本和價值相對合適的時候，目前有點太貴了。

看來還是因為High-NA EUV價格過于高昂了，臺積電如果更換，確實要耗費不少呀。

對此，有外媒直接評價道，光刻機轉(zhuǎn)折點到了！雖然制程越來越先進(jìn)，但價格也越來越貴了，貴到晶圓廠開始無法承受，更何況芯片設(shè)計廠商，都快到承受不了的地步。

畢竟如今先進(jìn)制程芯片的性能已經(jīng)出現(xiàn)了過剩的情況，是時候考慮要不要再這樣繼續(xù)加速更新迭代了。ASML的EUV光刻機也基本走到了盡頭，再繼續(xù)真的要賣不出了！