輝芒微電子領(lǐng)先發(fā)布DDR5新一代電源芯片F(xiàn)TPM5120，全面布局DDR市場

隨著高性能計算（HPC）和人工智能（Ai）的高速發(fā)展，高帶寬內(nèi)存（HBM）也有了爆炸性的需求，突破DDR4性能瓶頸的DDR5已大規(guī)模應(yīng)用，而為高帶寬內(nèi)存穩(wěn)定、高效運(yùn)行提供澎湃動力的正是DDR5 PMIC。為應(yīng)對這一趨勢，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會在2022年為DDR5內(nèi)存模組定義了第一代電源管理芯片（PMIC）標(biāo)準(zhǔn)，為全新的板載電源架構(gòu)奠定了基礎(chǔ)。2025年，JEDEC進(jìn)一步細(xì)化了技術(shù)規(guī)范，推出了面向高算力應(yīng)用場景的第二代DDR5 PMIC標(biāo)準(zhǔn)（即5120規(guī)范）。

在這一技術(shù)迭代的關(guān)口，輝芒微電子官方宣傳推出符合該最新標(biāo)準(zhǔn)的PMIC產(chǎn)品FTPM5120。作為同時具備微控制器（MCU）、非易失性存儲器（EEPROM）和電源管理芯片三條產(chǎn)品線的半導(dǎo)體公司，公開信息表明他們在在DDR5標(biāo)準(zhǔn)制定初期就以JEDEC會員身份密切關(guān)注， 此前推出的第一代DDR5 PMIC FTPM5100和SPD Hub FT5118已經(jīng)獲得了市場的高度認(rèn)可。此番國內(nèi)首發(fā)推出DDR5新一代電源芯片，更加預(yù)示了該公司在DDR市場全面布局的規(guī)劃。

從DDR4到DDR5：

PMIC為何成為關(guān)鍵角色？

相比DDR4時代由主板直接供電的架構(gòu)，DDR5內(nèi)存模組將電源管理功能移到了模組本身，即采用板載PMIC方案。這一架構(gòu)變化使得內(nèi)存供電由“集中式”變?yōu)椤胺植际健保行Ы档椭靼宀季€復(fù)雜度，同時提升了每一根內(nèi)存模組的電壓調(diào)節(jié)精度和信號完整性。對于高頻率、高帶寬的DDR5而言，PMIC不僅承擔(dān)電源轉(zhuǎn)換的功能，更是保障系統(tǒng)穩(wěn)定性與可靠性的核心器件之一。

新標(biāo)準(zhǔn)下的設(shè)計挑戰(zhàn)

隨著JEDEC第二代DDR5 PMIC標(biāo)準(zhǔn)的推出，芯片設(shè)計難度進(jìn)一步上升。首先，更高的工作頻率和更大的動態(tài)負(fù)載范圍要求PMIC具備更快的瞬態(tài)響應(yīng)能力與更精確的電壓控制。其次，在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大輸出電流的同時，還需兼顧散熱與能效，這對芯片的架構(gòu)設(shè)計與工藝選型提出了更高要求。此外，聲學(xué)噪聲的抑制、EMI的控制以及在多種復(fù)雜環(huán)境下的長期可靠性，也成為PMIC設(shè)計過程中需要綜合考慮的問題。

輝芒微電子DDR5 PMIC第二代

相較第一代的升級在哪兒？

從輝芒微電子官網(wǎng)公布的參數(shù)來看，F(xiàn)TPM5120相比前代FTPM5100有多處提升，主要表現(xiàn)在：

• 支持更高頻率：內(nèi)存超頻可達(dá)9000MT/s以上；

• 輸出電流大幅提升：SWA和SWB直流輸出電流從4.0A提升至6.0A，瞬態(tài)電流從5.0A提升至8.5A；

• 消除聲學(xué)噪聲：設(shè)定了最低工作頻率（默認(rèn)50kHz），有助于消除噪聲；

• 電壓范圍更寬：FTPM5120在JEDEC PMIC 5120標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，將SWA和SWB最大輸出電壓從1.435V進(jìn)一步提高到2.07V，適配更多應(yīng)用場景；

此外，新一代FTPM5120在封裝腳位與寄存器定義完全兼容上一代FTPM5100。

輝芒微電子DDR5的“全家桶”策略

按照J(rèn)EDEC的定義，DDR5內(nèi)存模組除了PMIC，還有SPD Hub（集成了溫度傳感器）來管理系統(tǒng)配置和溫度監(jiān)控。在服務(wù)器RDIMM中，甚至還會單獨(dú)集成溫度傳感器，以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的散熱管理。

輝芒微在DDR5領(lǐng)域的布局并非單一產(chǎn)品線。早在DDR4向DDR5過渡的階段，該公司就開始投入相關(guān)技術(shù)研發(fā)。2022年，輝芒微推出了SPD Hub芯片F(xiàn)TSPD5118，該產(chǎn)品已被金士頓、佰維、嘉合勁威等知名模組廠大規(guī)模使用。據(jù)了解，輝芒微是國內(nèi)最早涉足DDR5 SPD芯片的公司之一。其自研的Ultra EE工藝，為SPD芯片提供了高可靠性的存儲單元，加上MCU方面的積累，使得SPD產(chǎn)品在功能和穩(wěn)定性上有不錯的表現(xiàn)。

目前，輝芒微已經(jīng)推出的SPD Hub芯片F(xiàn)TSPD5118、溫度傳感器FTTS511x/521x等產(chǎn)品，與PMIC形成配套，覆蓋DDR5模組的主要芯片需求。

輝芒微依托自身在EEPROM和MCU領(lǐng)域的技術(shù)積累，逐步構(gòu)建起一個由PMIC、SPD Hub、溫度傳感器組成的“三位一體”產(chǎn)品組合。這種多品類協(xié)同的策略，讓它在DDR5模組配套芯片的供應(yīng)中，具備了一定的整合優(yōu)勢。

DDR5模組芯片的市場格局

內(nèi)存模組的芯片體系，這一領(lǐng)域長期以來主要由海外半導(dǎo)體大廠主導(dǎo)，國內(nèi)模組廠在核心芯片以及配套芯片上都高度依賴進(jìn)口供應(yīng)。在當(dāng)前全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈波動加劇的背景下，內(nèi)存模組全平臺芯片的國產(chǎn)化進(jìn)程已從“可有可無”的備選，逐步走向產(chǎn)業(yè)鏈安全考量的核心議題，內(nèi)存模組芯片的國產(chǎn)化進(jìn)程受到產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)注。對于存儲模組制造商而言，穩(wěn)定的本地供應(yīng)渠道不僅是產(chǎn)能保障的一部分，也意味著更靈活的技術(shù)支持和更短的響應(yīng)周期。

從更宏觀的視角來看，DDR5時代的內(nèi)存顆粒、內(nèi)存接口、電源管理芯片和SPD芯片等，正成為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向高端滲透的一個縮影。過去，國產(chǎn)芯片在存儲模組中的參與多集中于NAND Flash控制或較為外圍的配套器件，如今，已推出8000Mbps速率、24Gb大容量DDR5產(chǎn)品的長鑫存儲，占據(jù)全球RCD芯片半壁江山的瀾起科技，接口芯片國產(chǎn)新秀芯動科技，擁有PMIC、SPD和TS三大配套芯片的輝芒微電子，都是在內(nèi)存模組芯片這一領(lǐng)域的持續(xù)投入和產(chǎn)品落地的國產(chǎn)化重要力量，意味著國產(chǎn)芯片正在Ai算力時代掌握自己的底層技術(shù)命脈。

DDR5之后，下一步是什么？

當(dāng)前，HPC、AI服務(wù)器和AIPC正成為存儲需求增長的主要推手。DDR5作為主流內(nèi)存方案，對PMIC、SPD Hub、溫度傳感器的設(shè)計要求也越來越高。能否提供穩(wěn)定、可靠的配套芯片組合，直接關(guān)系到內(nèi)存模組的性能和良率。與此同時，行業(yè)內(nèi)關(guān)于下一代DDR6內(nèi)存的技術(shù)討論也已展開。未來內(nèi)存模組對電源管理、信號完整性與熱管理的需求將進(jìn)一步升級。對于芯片設(shè)計企業(yè)而言，能否在技術(shù)迭代中持續(xù)跟進(jìn)國際標(biāo)準(zhǔn)、同時保持產(chǎn)品的自主迭代能力，將決定其在未來計算賽道中的位置。

輝芒微電子在PMIC、SPD Hub及溫度傳感器等核心配套芯片領(lǐng)域保持研發(fā)投入，逐步構(gòu)建從DDR5到下一代內(nèi)存技術(shù)的完整產(chǎn)品矩陣。對于這家從MCU和存儲器起家的本土芯片公司而言，DDR市場的拓展，也許正成為其進(jìn)入更廣闊計算賽道的重要布局。

（本文封面由AI生成）

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