河南
中國科研團隊利用半導(dǎo)體科技研究，結(jié)合功率與內(nèi)存，使軍用電子產(chǎn)品更小，也更強大。當(dāng)美國空軍還在努力用氮化鎵雷達系統(tǒng)，將旗下戰(zhàn)斗機隊現(xiàn)代化時，中國工程師已率先向前邁進，開發(fā)具有內(nèi)置數(shù)據(jù)存儲功能的氧化鎵半導(dǎo)體。
《南華早報》13日報道，中國靠上個月公開的半導(dǎo)體技術(shù)進步，有望重新定義軍事電子產(chǎn)品的未來，而或許能領(lǐng)先美國兩代。從較舊的殲-10到最先進的殲-20和殲-35，如今中國戰(zhàn)機都配備了第三代氮化鎵技術(shù)雷達，讓它們在探測范圍、效率和可靠性上，得以超越如今仍依賴較老舊砷化鎵系統(tǒng)的美國對手F-22。
事實上，美國五角大樓升級F-35以裝備氮化鎵雷達的計劃已延遲5年，而部分原因在于中國對金屬鎵的戰(zhàn)略出口管制。
中國科研團隊公開他們的新發(fā)現(xiàn)，為半導(dǎo)體軍備競賽開辟了新戰(zhàn)線。 他們率先通過實驗證實，一種名為κ-氧化鎵的特定晶相氧化鎵，在室溫下會呈現(xiàn)出穩(wěn)定的鐵電性，使它能像存儲裝置般存儲數(shù)據(jù)，同時還能像高功率傳輸元件般運作。若能將氧化鎵這種“高溫半導(dǎo)體”的極高穩(wěn)定性與鐵電材料的存儲能力相結(jié)合，就能解決極端環(huán)境下多功能電子產(chǎn)品面臨的重大挑戰(zhàn)，既能進行高功率處理，又能實現(xiàn)非易失性存儲。
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