狂飆35倍，2028年ASIC將引爆HBM需求

在2028年之前，HBM3E將主導(dǎo)ASIC的HBM比特需求市場。

2026 年 3 月，市場研究機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 發(fā)布預(yù)測：到 2028 年，面向人工智能服務(wù)器的計算專用集成電路（ASIC），其對高帶寬內(nèi)存（HBM）的比特需求量將較 2024 年增長 35 倍。HBM 比特是結(jié)合了高帶寬內(nèi)存（HBM） 與數(shù)據(jù)計量單位（比特） 的表述，指的是高帶寬內(nèi)存所能存儲或處理的數(shù)據(jù)量大小，是衡量 HBM 存儲能力的核心指標(biāo)之一。在 2028 年之前，HBM3E 將主導(dǎo) ASIC 的 HBM 比特需求市場。展望未來，伴隨 HBM4 及 HBM4E 技術(shù)迭代升級，定制化 HBM 的市場滲透率有望實現(xiàn)快速提升。

Counterpoint Research 指出，推動 ASIC 對 HBM 比特需求持續(xù)攀升的核心因素，包括谷歌積極擴(kuò)建其張量處理單元（TPU）基礎(chǔ)設(shè)施、亞馬遜云科技（AWS）持續(xù)部署 Trainium 集群，以及元宇宙平臺公司（Meta）推出 MTIA 芯片、微軟推出 Maia 芯片等一系列產(chǎn)業(yè)動作。

在這一發(fā)展趨勢下，Counterpoint Research 特別強(qiáng)調(diào)，定制化 ASIC 芯片在 HBM 內(nèi)存消耗量中的占比正快速提升。當(dāng)前，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心正朝著萬億參數(shù)大模型、多模型融合架構(gòu)，以及復(fù)雜的混合專家（MoE）模型設(shè)計方向深度演進(jìn)。為了讓海量數(shù)據(jù)集能夠就近存儲在計算核心周邊，實現(xiàn)高效運算，高容量、高密度的內(nèi)存產(chǎn)品成為關(guān)鍵支撐。

與此同時，ASIC 的內(nèi)存配置也將迎來代際更迭。Counterpoint Research 預(yù)計，到 2028 年，HBM3E 將占據(jù) ASIC 總 HBM 比特需求的 56% 左右。三星電子通過持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品良率、緩解產(chǎn)能限制，為穩(wěn)固自身市場份額奠定了堅實基礎(chǔ)。

未來，HBM4 與 HBM4E 芯片的市場需求將持續(xù)走高，行業(yè)也將逐步向定制化 HBM 的方向發(fā)展。對于內(nèi)存供應(yīng)商而言，布局定制化 HBM 業(yè)務(wù)，被視作開拓高附加值市場的重要機(jī)遇。

AI 服務(wù)器計算專用集成電路（ASIC）內(nèi)存比特需求增長及市場份額（2024-2028 年）來源：Counterpoint Research

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，臺積電表示，隨著眾多廠商采用 CoWoS-S 和 CoWoS-L 封裝方案，公司將持續(xù)從先進(jìn)封裝技術(shù)的普及中獲益。不過受限于臺積電的產(chǎn)能，部分企業(yè)（例如谷歌）已開始考慮采用英特爾的 EMIB-T 封裝方案。

從內(nèi)存廠商的競爭格局來看，SK 海力士與三星目前占據(jù)了 HBM 市場的主要份額。與此同時，美光科技能否在面向定制化 AI 服務(wù)器加速器的 HBM 市場中實現(xiàn)份額突破，成為行業(yè)關(guān)注的焦點。

針對 AI 服務(wù)器的計算 ASIC 內(nèi)存比特需求增長和份額預(yù)測（2028 年）

AI需求正在引發(fā)一場歷史性的存儲芯片短缺。要滿足芯片需求的指數(shù)級增長將代價昂貴、甚至可能根本無法實現(xiàn)。盡管美光科技、SK海力士、三星電子等正通過新建或升級制造設(shè)施和先進(jìn)封裝廠來擴(kuò)充產(chǎn)能，但這類項目往往需要多年時間和數(shù)十億美元投資才能產(chǎn)生顯著產(chǎn)量。

HBM還帶來了額外挑戰(zhàn)——它們在大規(guī)模制造方面異常困難。HBM是通過將多個存儲顆粒(每片厚度比頭發(fā)絲還薄)以微米級精度堆疊而成。任何一個缺陷都可能毀掉整個堆疊結(jié)構(gòu)，使得生產(chǎn)速度更慢、良率也低于傳統(tǒng)DRAM。某些HBM版本還集成了小型邏輯芯片，用于管理和路由數(shù)據(jù)，這進(jìn)一步增加了復(fù)雜性，并占用大量制造產(chǎn)能。

市場研究機(jī)構(gòu)IDC直言，隨著AI熱潮給供應(yīng)帶來壓力，存儲芯片短缺正成為“一場前所未有的危機(jī)”。美光科技此前給出的業(yè)績指引，以及野村、花旗等機(jī)構(gòu)的判斷表明，存儲芯片行業(yè)本輪超級周期有望持續(xù)至2026、2027年。

三星正以前所未有的力度擴(kuò)大投資。財報顯示，2025年第四季度，三星資本開支從上一季度的9.2萬億韓元激增至20.4萬億韓元，其中19萬億投向設(shè)備解決方案事業(yè)部。公司明確表示，2026年存儲器領(lǐng)域的資本支出將繼續(xù)增加。

更宏大的布局在龍仁。三星已簽署土地購買協(xié)議，將投資360萬億韓元在約728萬平方米的園區(qū)內(nèi)建設(shè)六座晶圓廠，計劃2026年下半年開工，2031年完工。平澤P5工廠的建設(shè)也已全面重啟，目標(biāo)是在2028年實現(xiàn)全面運營。

然而，在這輪激進(jìn)擴(kuò)張背后，三星內(nèi)部卻保持著高度警惕。據(jù)知情人士透露，三星電子DS事業(yè)部管理層正與業(yè)務(wù)支持團(tuán)隊共同研判：全球存儲半導(dǎo)體市場或于2028年前后出現(xiàn)供需逆轉(zhuǎn)的風(fēng)險。

與三星的激進(jìn)不同，SK海力士采取了更為克制的策略。公司明確表示，在擴(kuò)大產(chǎn)能方面將“保持謹(jǐn)慎”。但這并不意味著放棄擴(kuò)張——SK海力士將M15X的量產(chǎn)時間表從原計劃的2026年6月提前至2026年2月，這座工廠將專注于生產(chǎn)HBM4所需的1b納米及未來的1c納米DRAM顆粒。

在龍仁，SK海力士同樣布局了大規(guī)模產(chǎn)能，計劃投資高達(dá)120萬億韓元建設(shè)4座大型晶圓廠，首座工廠預(yù)計2027年5月竣工投產(chǎn)。

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