芯片總經(jīng)理：國(guó)產(chǎn)高端芯片的自主化不足15%，核心技術(shù)還是人家的

01

前沿導(dǎo)讀

中欣晶圓半導(dǎo)體總經(jīng)理在做客《灣芯會(huì)客室》節(jié)目時(shí)表示，中國(guó)芯片在高端領(lǐng)域存在較大的進(jìn)口替代空間，應(yīng)用在高制程的12英寸硅片，其整體自主化率不足15%，大部分的技術(shù)設(shè)備需要依賴進(jìn)口。

產(chǎn)業(yè)的認(rèn)證周期較長(zhǎng)，最快一輪下來(lái)都要半年，如果是全驗(yàn)證通過(guò)進(jìn)入量產(chǎn)階段，需要一年至一年半的時(shí)間。先進(jìn)制程是未來(lái)市場(chǎng)，其未來(lái)的大方向就是被國(guó)內(nèi)廠商的技術(shù)替代掉。

參考資料：
灣芯會(huì)客室 | 全鏈突圍進(jìn)行時(shí) 國(guó)內(nèi)晶圓制造的"雙軌并行"
https://www.douyin.com/video/7596961645549718824

02

先進(jìn)制程

據(jù)《中國(guó)經(jīng)營(yíng)報(bào)》新聞指出，全球半導(dǎo)體公司在先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中進(jìn)入白熱化階段，英特爾的18A工藝步入小規(guī)模量產(chǎn)階段，18A工藝相當(dāng)于1.8nm節(jié)點(diǎn)，并且該工藝使用ASML第二代高數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)進(jìn)行制造，其對(duì)比的則是臺(tái)積電與三星推出的2nm工藝。

英特爾、臺(tái)積電、三星，這三家是目前先進(jìn)技術(shù)的核心競(jìng)爭(zhēng)者，而中國(guó)大陸地區(qū)的中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等公司則是依然聚焦于28nm及以上制程的成熟工藝。

成熟工藝在現(xiàn)階段是中國(guó)企業(yè)的核心利潤(rùn)來(lái)源，據(jù)中芯國(guó)際的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，其28nm及以上工藝的營(yíng)收占比達(dá)到了90%以上。

具備Fin FET晶體管結(jié)構(gòu)的14nm、12nm有一定規(guī)模的出貨，但受限于美國(guó)在制造設(shè)備上面的出口限制，該工藝節(jié)點(diǎn)并未給企業(yè)創(chuàng)造規(guī)模化效應(yīng)。

至于中芯南方工廠負(fù)責(zé)的N+1、N+2等先進(jìn)制程技術(shù)，由于該工廠為多方合資的企業(yè)，母公司中芯國(guó)際不具備最終的實(shí)際控制權(quán)，所以在母公司的財(cái)報(bào)當(dāng)中并未體現(xiàn)南方工廠的經(jīng)濟(jì)情況。

CHIP中國(guó)區(qū)實(shí)驗(yàn)室主任羅國(guó)昭對(duì)此解釋稱，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)正在集中于28nm及以上工藝的擴(kuò)產(chǎn)，并同時(shí)向14nm、12nm等中端制程技術(shù)推進(jìn)。

這種政策看似與國(guó)際企業(yè)形成了巨大的技術(shù)代差，但是依托中國(guó)本土強(qiáng)大的電子制造業(yè)和汽車工業(yè)體系，可以顯著提升中國(guó)芯片的市場(chǎng)占有率，進(jìn)而推動(dòng)本土產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入國(guó)產(chǎn)化替代階段。

國(guó)產(chǎn)先進(jìn)工藝也取得了一定程度的進(jìn)展，采用ASML浸潤(rùn)式光刻機(jī)和自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化技術(shù)制造的國(guó)產(chǎn)芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，其晶體管密度達(dá)到了1.08MTr/mm2 (百萬(wàn)晶體管每平方毫米)，等效工藝為7nm。

參考資料：
全球1.8納米先進(jìn)制程大戰(zhàn)加劇 中國(guó)半導(dǎo)體穩(wěn)健突破
http://www.cb.com.cn/index/show/bzyc/cv/cv135251791649

據(jù)中國(guó)社會(huì)科學(xué)院產(chǎn)業(yè)與企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力研究中心發(fā)布《產(chǎn)業(yè)藍(lán)皮書：中國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力報(bào)告》顯示，依托全球集成電路產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步降速，國(guó)產(chǎn)28nm節(jié)點(diǎn)的成熟芯片將會(huì)快速驅(qū)動(dòng)顯示芯片、功率芯片、射頻芯片領(lǐng)域的自主化提升，成為保護(hù)國(guó)內(nèi)安全需求的重要支撐。

國(guó)產(chǎn)先進(jìn)制程也迎來(lái)了技術(shù)突破，相關(guān)企業(yè)正在向更先進(jìn)的5nm節(jié)點(diǎn)展開(kāi)技術(shù)研發(fā)。

參考資料：
產(chǎn)業(yè)藍(lán)皮書：我國(guó)集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力顯著提升
https://www.dutenews.com/n/article/8904959

03

重倉(cāng)設(shè)備

據(jù)《中國(guó)工業(yè)報(bào)》新聞指出，截止到2025年第三季度，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）的投資路線已經(jīng)明朗，北方華創(chuàng)、滬硅產(chǎn)業(yè)、拓荊科技這三家半導(dǎo)體供應(yīng)鏈企業(yè)位居大基金扶持力度的最前列，現(xiàn)在以及未來(lái)重點(diǎn)扶持的項(xiàng)目將會(huì)是半導(dǎo)體核心裝備與基礎(chǔ)材料。

常信科技CEO葛林波對(duì)采訪媒體表示，國(guó)家的扶持已經(jīng)進(jìn)入了設(shè)備先行、材料筑基、技術(shù)協(xié)同的全鏈路攻堅(jiān)體系，國(guó)家資源的投資并不是為了追求商業(yè)收入，而是追求國(guó)家科技自立自強(qiáng)的戰(zhàn)略任務(wù)。

制造設(shè)備與制造材料是國(guó)產(chǎn)化替代非常薄弱的環(huán)節(jié)，其中涉及到海外企業(yè)的技術(shù)專利與供應(yīng)鏈之間的匹配程度，該產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)的突破往往伴隨著周期長(zhǎng)、投入大、回報(bào)慢的現(xiàn)象，但該產(chǎn)業(yè)對(duì)于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控具有重大戰(zhàn)略意義，再艱難也要發(fā)展。

遠(yuǎn)東資信研究院研究員黃美霖對(duì)媒體表示，在前沿技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口產(chǎn)品替代的困難度最高，ASML的EUV光刻機(jī)是一個(gè)大問(wèn)題，該設(shè)備是制造7nm及以下芯片的核心設(shè)備，而國(guó)產(chǎn)廠商只在28nm及以上制程的設(shè)備當(dāng)中初步實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代。

想要對(duì)進(jìn)口的技術(shù)設(shè)備實(shí)現(xiàn)大規(guī)模替代，主要有三方面的挑戰(zhàn)。

一是高端設(shè)備材料的瓶頸，二是產(chǎn)業(yè)鏈彼此之間的協(xié)同水平，三是金融體系的支持。

300mm大硅片、國(guó)產(chǎn)光刻膠等基礎(chǔ)材料已經(jīng)有部分企業(yè)實(shí)現(xiàn)了突破，但是下游廠商出于對(duì)產(chǎn)品良率、供應(yīng)鏈穩(wěn)定性的考慮，很少會(huì)有企業(yè)主動(dòng)去使用國(guó)產(chǎn)材料，導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)材料的規(guī)模化進(jìn)度緩慢，其核心的問(wèn)題在于良率和供應(yīng)鏈的穩(wěn)定會(huì)影響整體的經(jīng)濟(jì)收入。

在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代，設(shè)備材料、合作、資金支持都是因果關(guān)系，未來(lái)國(guó)家給予的政策扶持，將會(huì)逐步解決國(guó)產(chǎn)化材料“使用困難”的問(wèn)題。