存儲芯片本輪漲價能走多遠？一文看懂產業鏈

核心觀點：

• 存儲芯片是芯片行業的第二大產業，僅次于CPU、GPU等邏輯芯片。本輪存儲芯片市場的熱潮，源于全球范圍內供需關系的深刻調整。需求端方面，人工智能基礎設施建設的激增，導致對高端內存的需求前所未有，供給端方面，美光科技等國際大廠已預警短缺狀態將持續。
  
• 存儲芯片一般3-4年為一個周期，得益于上游SK海力士、三星等存儲晶圓原廠主動控制產出，存儲芯片價格從2023年下半年開始反轉，進入第五個上行周期。2023年美光率先削減30%產能，為目前新一輪周期起點。
  
• 價格方面，我們預計將會持續，漲勢至少會延續到2026年下半年。存儲芯片價格自2025年9月以來持續上漲，其中DDR5內存顆粒現貨價格漲幅已超過300%。256GBDDR5服務器內存的單條價格突破4萬元。我們預計2026年一季度存儲芯片價格將上升40%~50%，二季度預計還將再上漲約20%。
  

（1）行業定義及發展歷程

1）定義及介紹

存儲芯片也叫半導體存儲器，其存儲與讀取過程體現為電子的存儲或釋放，直接決定了數據洪流的承載與處理能力，其容量與速度，直接決定了數據洪流的承載與處理能力。存儲芯片分成易失性和非易失性兩種：

• 易失性存儲：就像電腦的內存（如SRAM、DRAM），數據會受到斷電的影響；

• 非易失性存儲：比如PROM、Flash存儲器、EPROM/EEPROM這些，哪怕斷電，數據也能存著。現在市場上主流的是Flash和DRAM這兩種存儲器，兩者加起來能占差不多99%的市場份額。

圖表1：易失性存儲與非易失性存儲對比圖

來源：融中咨詢

專用型存儲芯片通常有特定的應用需求，或是在特定的市場細分中有競爭優勢。當前應用較為廣泛的品類主要包括NOR Flash、NAND Flash、DRAM。

DRAM又細分為標準型DRAM、移動型DRAM、繪圖型DRAM、利基型DRAM等類別。標準DRAM主要應用于PC、服務器等；移動型DRAM主要為LPDDR，應用于智能手機、平板電腦等場景；繪圖型DRAM用于顯卡的顯存（GDDR）;利基型DRAM，主要應用于液晶電視、數字機頂盒、網絡播放器等產品。

國內在DRAM領域比較有代表性的企業是合肥長鑫、福建晉華、紫光國芯、兆易創新、北京矽成、東芯半導體、南亞科技（中國臺灣）、華邦電子（中國臺灣）、力積電（中國臺灣）等。

2）特點

存儲芯片的行業周期性非常明顯，受國際壟斷大廠的政策和供需變化影響較大大，主要原因之一是存儲器技術壁壘高、研發周期長、國際競爭激烈，使得這一領域的創新創業難度較大。

成本占比方面，以手機為例，存儲芯片成本端占比不同。

• 低端入門機（千元以下）：內存成本占比相對較高，可能在10%-15% 甚至更高。因為手機整體物料成本低，處理器、屏幕、相機等部件都相對廉價，使得內存成本顯得突出。

• 中高端機（2000-5000元）：內存成本占比適中，通常在8%-12%左右。手機的處理器（SoC）、高端屏幕、相機模組成本大幅上升，稀釋了內存的占比。

• 頂級旗艦機（5000元以上）：內存成本占比最低，可能僅占5%-8%。因為除了頂級的SoC、屏幕、相機外，還會在精密結構、特殊材質、散熱等方面投入高昂成本。

3）技術方案

DRAM和NAND為兩種不同的技術方案。DRAM的需求更集中、更具周期性，NAND Flash的需求更分散、場景更多元。

圖表2：DRAM與NAND Flash的對比

來源：融中咨詢

在產品標準方面，行業一般采用由固態技術協會（JEDEC）制定的產品標準，也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。DRAM三巨頭，都具備了DDR5/LPDDR5的量產能力。

圖表3：DDR1-DDR5主要指標比較

來源：融中咨詢

在本輪存儲芯片產業周期中，不同產品品類的技術軌跡和市場地位呈現出顯著分化，HBM（高帶寬內存）憑借其顛覆性架構成為金字塔頂端的明星產品。作為GPU和AI加速卡的“標配”內存，HBM通過2.5D/3D堆疊和硅通孔（TSV）技術實現了帶寬的飛躍，其核心價值在于有效破解了制約算力性能的“內存墻”難題。當前行業正處在從HBM3e向HBM4過渡的關鍵節點，技術迭代速度不斷加快。

圖表4：不同芯片技術代際對比

來源：市場公開資料，融中研究

4）發展歷程

存儲技術從磁芯到半導體存儲（DRAM、閃存）的演進，推動了信息技術的飛躍；市場重心先后從日本轉移至韓國，并正在向中國擴散，形成全球化競爭與創新格局。

圖表5：芯片產品的變化歷史

來源：融中咨詢

（2）行業現狀分析

1）行業政策趨勢

存儲芯片作為信息存儲的載體，其穩定性與安全性對國家的信息安全有著舉足輕重的意義，因而國家政策大力支持存儲芯片行業發展。如《信息化標準建設行動計劃（2024—2027年）》《關于推動未來產業創新發展的實施意見》等產業政策的支持促進了存儲芯片行業的發展、增強了企業的自主研發能力、提高了國內存儲芯片企業的整體競爭力。

圖表6：存儲芯片相關政策

來源：融中咨詢

2）行業規模

在集成電路市場，存儲芯片與邏輯芯片貢獻了最大價值量。根據世界半導體貿易統計組織（WSTS）的統計，2024年，全球半導體市場銷售額約6305.49億美元，其中，邏輯電路銷售額約為2157.68億美元，存儲芯片銷售額約為1655.16億美元。

AI有效帶動存儲芯片尤其是DRAM/HBM的增長。根據《Memory Market overview 2025 Update》，2024年全球存儲市場約1700億美元，DRAM約970億美元，其中HBM174億美元，在AI的帶動下HBM到2030年將增長至到980億美元，CAGR約33%。

圖表7：存儲芯片細分市場占比

來源：融中咨詢

DRAM方面，預計供應短缺將持續到2027年第一季度，其中DDR需求增長20.7%，遠超供應增長。NAND短缺情況預計延續至2026年第三季度。根據TrendForce數據，2026年DRAM位增長率或達26%，NAND位增長率或達21%，較2025年(22%/15%)呈現加速態勢，主要受AI服務器、HBM滲透率提升及數據中心擴建等因素驅動。

（3）產業鏈分析

1）相關產業鏈

圖表8：存儲芯片產業鏈上下游

來源：公開資料，融中咨詢

產業鏈方面，存儲芯片的上游主要為芯片設計與制造提供支撐的產業，包括設計工具（如EDA）、半導體IP、制造與封測所需的材料和設備。中游涵蓋芯片的設計、制造與封測環節，分為外資與本土企業。外資代表有韓國三星、SK海力士，美國英特爾、美光、西部數據等；本土企業則包括長江存儲、兆易創新、君正，以及封測領域的佰維存儲等。下游是存儲芯片的主要應用場景，涵蓋通信設備、汽車電子、消費電子和計算機等領域。相關企業包括通信領域的中國電信、TP-LINK，汽車領域的蔚來，消費電子領域的小米，以及計算機領域的華為和微軟等。

中國存儲芯片產業在政策支持和市場需求推動下快速發展。長江存儲率先推出128層3D NAND Flash產品，長鑫存儲在DRAM領域實現技術突破，逐步縮小與國際領先企業的差距。在存儲芯片設計環節，兆易創新在全球NORFlash市場位居前三，北京君正在汽車電子存儲領域形成特色，紫光國芯專注DRAM技術，這些企業共同推動國產存儲芯片生態完善。

對于國產存儲替代的優勢，當前最核心的優勢有兩點，一是成熟制程的產能與成本勢，國際巨頭退出低端成熟市場后，國內企業憑借量產穩定性和性價比快速補位，在消費級存儲、低端工業級存儲領域形成份額壁壘，且能依托本土下游電子產業鏈實現供需聯動；二是政策與市場雙輪驅動，國內算力基建、終端制造帶來本土剛需市場，疊加半導體配套政策扶持，為國產存儲提供了業績緩沖和技術迭代的窗口期。

2）相關公司

市場份額方面，存儲芯片一直被韓國的三星、海力士，還有美國的美光壟斷，市場份額占據全球95%以上。國內行業當前最核心的優勢是結構性市場卡位與產業鏈協同能力，國內頭部企業突破了先進的3D和DDR5技術并實現量產。全球存儲芯片市場被海外企業高度壟斷。DRAM作為存儲器第一大產品，三星、海力士、美光壟斷了全球96.5%的市場份額，行業集中度高，寡頭明顯；NAND領域，競爭格局相對DRAM領域較分散，三星、鎧俠、SK海力士、西部數據、美光合計占據95.5%的市場份額。我國雖然是全球最主要的存儲芯片消費市場，但由于產業起步較晚，市場占有率仍相對較低。

供給端，AI驅動的高端存儲需求爆發，使三星、SK海力士、美光三大巨頭加速將晶圓產能向HBM、DDR5等高附加值產品傾斜，同時大幅壓縮成熟制程比重。美光的動作最為徹底，此前宣布退出消費存儲品牌英睿達（Crucial）業務，徹底剝離消費級產品線。AI等細分市場方面，盡管美光與同業正竭盡全力服務各個細分市場，但目前供應量仍遠遠不足。

圖表9：2025-2026年全球存儲芯片資本支出預測單位：億美元

數據來源：融中咨詢

產能周期方面，存儲芯片從產能規劃到量產需要2-3年周期，頭部廠商2025年資本開支保持審慎，三星P4L廠、SK海力士M15X工廠等新增產能釋放緩慢，進一步加劇了供需失衡。Trend Force預計2026年DRAM資本開支同比或增長23%，顯著高于歷史平均水平，反映存儲廠商在技術升級(HBM、DDR5)和產能擴張方面的積極布局，存儲周期下的供需共振格局進一步確立。

• 美光：專注DRAM、NAND和NOR閃存技術，產品覆蓋計算機、移動設備、汽車、工業領域。技術創新與產能擴張并重。美光在技術創新方面投入巨大，2025年資本支出占營收30%，主要用于DRAM/HBM產能擴張。公司計劃2027年在新加坡和美國新博伊西建設Fab，同時在紐約州雪城附近的Mega工廠規劃未來20年的HBM產線。財務方面，美光2026財年第一季度毛利率為56.8%，環比提高11個百分點。戰略方面，美光將新工廠產品明確鎖定在AI專用的HBM芯片上，顯示出它正將未來增長重心押注于人工智能這一高增長賽道。

• 三星：全面領先戰略。三星在DRAM和NAND兩個領域都保持領先地位，通過技術創新和產能優勢鞏固市場地位。在DRAM領域，三星2025年下半年量產HBM4，采用4nm邏輯工藝與10nmDRAM制程，目標良率突破80%。在NAND領域，三星V10NAND將實現420-430層堆疊，并計劃到2030年實現1000層NAND。

• 海力士：聚焦高端產品。SK海力士將戰略重點放在HBM和高端DRAM產品上，2025年全年HBM產能較2024年翻倍。公司正在推進第5代1b DRAM的產能提升，計劃將月產能從年初的1萬片提升至年底的9萬片，2026年上半年進一步提升至14-15萬片。在NAND領域，SK海力士計劃將部分產能轉用于生產HBM，321層QLC量產領先其他家，體現了向高價值產品傾斜的戰略。

• 鎧俠/西部數據：整合尋求突破。鎧俠與西部數據的合并談判仍在進行中，這一整合將創造一個在NAND和HDD領域都具有強大競爭力的存儲巨頭。合并后的公司將在技術研發、產能規劃、市場拓展等方面實現協同效應，有望挑戰三星的市場地位。

• 長江存儲：成立于2016年。其突圍的關鍵在于核心技術——晶棧?Xtacking?架構。在該架構推出前，市場上的3D NAND主要分為傳統并列式架構和CuA（CMOS under Array）架構。通過創新布局和縝密驗證，長江存儲將晶圓鍵合這一關鍵技術在3D NAND閃存上得以實現。

• 長鑫存儲：國內DRAM存儲芯片的龍頭企業。他們的DRAM技術主要來自于已破產的德系DRAM廠商奇夢達，以及日系廠商爾必達，公司成立于2016年，作為國產DRAM存儲芯片企業，其產品應用于智能手機、PC等場景，主攻DRAM領域。2019年，其量產第一代19nm工藝DDR4芯片，標志著中國自主研發的DRAM技術取得從"0"到"1"的突破。此后，長鑫穩步推進技術迭代，逐步構建起覆蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X的產品矩陣。長鑫科技IPO意義重大，不僅是中國芯片最大IPO，更是國產存儲芯片打破國際壟斷的里程碑，預計2026年3-5月上市，有望沖擊萬億市值。

（4）應用場景

圖表10：各細分市場存儲芯片需求增長預測（2026年）

來源：融中咨詢

存儲產業鏈下游為應用方向，包括消費電子、汽車電子、信息通信、人工智能等應用領域內的企業，各類電子化和智能化設備都離不開存儲芯片應用。很長時期以來，存儲芯片產業的發展一直由美、日、韓三國主導，目前處于國產替代的階段。

需求方面，AI產業的發展拉動了整體的需求。過去，數據中心在內存潛在市場(TAM)的占比約為30%至35%，但如今已躍升至50%甚至60%，且整個市場對比特數(Bit)的需求遠超以往。此外，企業客戶——AI云廠商亞馬遜、Alphabet、Meta和微軟等等砸重金擴建AI基礎設施，預計在2025年合計資本支出將超過3600億美元。根據調研機構Counterpoint Research，2026年全球生產的內存中高達70%將被數據中心消耗。

• 技術創新與自主研發能力持續突破

中國存儲芯片企業加速向技術迭代，持續提升自主研發能力。隨著研發積累的不斷深厚和高端人才的集聚，本土企業將逐步掌握更多關鍵核心技術，具備從設計到制造的全鏈條創新能力。這不僅將推動國產存儲芯片在性能、功耗和可靠性上與國際主流水平看齊，更將在部分領域實現領先，從根本上提升中國在全球存儲產業鏈中的話語權與核心競爭力。

• 中國企業加速國際化布局

隨著產品競爭力的穩步提升，中國存儲芯片企業將加速從產品出海向品牌出海和技術出海轉變。通過在海外設立研發中心、參與國際標準制定以及與全球頂尖平臺開展聯合創新，中國企業將更深入地融入全球半導體生態。國際化布局不僅為企業打開了更廣闊的市場空間，也將在技術交流與產業協作中推動全球存儲產業的共同進步。

• 供需緊張狀態仍將持續

從2023年下半年至今全球存儲芯片價格持續攀升，尤其2025年以來，閃迪、美光、三星、SK海力士等國外大廠多數已經上調產品價格，主要原因是全球存儲芯片需求不斷上漲所致。全球半導體貿易統計組織發布的預測數據顯示，2025年全球存儲芯片銷售額將達到1848.41億美元，同比增長11.68%。2026年銷售額將達到2148.26億美元，同比增長16.22%。

存儲芯片行業挑戰方面，“卡脖子”難題集中在三方面：1）高端制程核心技術，3D NAND的高堆疊層數、DDR5高頻低功耗等核心指標，中國企業與國際巨頭仍有代差；2）供應鏈配套，存儲芯片所需的高端光刻膠、特種氣體、核心設備零部件依賴進口，供應鏈安全存在隱患；3）生態認證壁壘，高端服務器、車規級存儲的行業認證周期長，國產產品短期難進入國際頭部廠商供應鏈體系。

此外，存儲芯片漲價可能抑制相關產品的需求。尤其對于千元左右的中低端手機來說，內存條的漲價無疑進一步擠占了利潤空間。多家手機廠商下調全年整機訂單數量，各家下調機型主要都側重在中低端和海外產品。存儲芯片供需錯配可能持續較長時間，市場已從買方市場轉向賣方市場，定價權進一步向掌握先進技術的頭部廠商集中。美光科技2026年全年HBM的供應量已全部售罄；SK海力士也稱2026年全系列存儲訂單已售罄，漲價趨勢可能延續至2026年。一方面，HBM與DDR5的產能置換比例為3：1，且未來幾代HBM的這一置換比例還將進一步提高，這意味著每增加一單位HBM產能，就會減少3單位傳統存儲芯片產能。另一方面，全球潔凈室建設周期長達2-3年，而核心工程師培養也需要相似時間，供給端難以快速響應需求變化。