存儲瘋狂漲價？破局者出現(xiàn)了

在今年CES的時候，很多科技圈大佬在談論AI時，都已經(jīng)將擔憂從算力轉移到存儲器，隨著大模型規(guī)模呈指數(shù)級增長，訓練和推理對數(shù)據(jù)訪問速度同樣也就越來越高。

結果就是，2026年三星、SK海力士、美光三大DRAM原廠晶圓總產(chǎn)出將達到1800萬片，同比增長約5%，但仍難以滿足市場的需求。

過去2年，內存和SSD價格的瘋狂起飛，本質上AI巨頭們對HBM（高帶寬內存）的無底洞式掠奪，當DRAM產(chǎn)能被算力巨頭買斷，作為普通用戶，我們只能被迫為這波“AI通脹”買單。

在這樣的背景下，2025年2月25日，SK海力士與閃迪宣布啟動下一代存儲HBF全球標準化進程。

HBF存儲器標準化的推進，以滿足在AI時代以較低的成本、更高的能耗存儲介質來支撐AI算力需求。

存儲器標準

在HBF內存出現(xiàn)之前，AI存儲領域主要由以下幾類標準統(tǒng)治，而HBF的加入并非是替代某一種存儲器標準，而是填補目前存儲器對于需求上的空白。

HBF的價值

HBF（High Bandwidth Flash）被業(yè)界形象的稱為NAND版HBM，HBF的核心價值在于其獨特的層級定位。

簡單來說：HBF=介于HBM內存與NAND之間的“計算感知型閃存”

HBM雖然很快，但單個堆棧容量通常有限（64GB），而HBF利用NAND的高密度特性，單個模塊即可達到512GB甚至更高，這讓在單個加速器上運行的大規(guī)模推理成為可能。

其次HBF是非失憶性存儲，因此無需像DRAM那樣持續(xù)刷新電流，有數(shù)據(jù)顯示HBF在AI推理場景下，每瓦性能可提升高達2.69倍。幾乎就是為了AI推理場景需求而生的層級結構。

當然SK海力士和閃迪努力推進HBF標準化最大的目的就是為了讓推理成本降低，HBF在提供接近HBM性能的同時，成本結構更趨向于閃存，是大力降低AI算力普惠大眾的關鍵。

強強聯(lián)手

SK海力士和閃迪的組合并非偶然，而是在技術和市場地位的互相補位。

就目前來看，SK海力士是HBM內存絕對的王者，同時SK海力士還擁有全球經(jīng)典的堆棧封裝技術和量產(chǎn)經(jīng)驗，雖然借著HBM內存和AI龐大的需求可以盆滿缽滿1-2年，但是SK海力士明顯知道HBM的極限在哪里，因此急需要HBF作為其“全棧存儲方案”的另一抓手。

閃迪是NAND標準化的參與者，在NAND Flash的設計與商業(yè)化上具有深厚的積累，而且閃迪在OCP（開放計算項目）等全球標準組織中擁有極高的話語權。

官方宣稱，此次合作推進HBF標準化進程是通過OCP工作組進行的，避免像早期技術那樣陷入私有協(xié)議的孤島效應，通過OCP工作組的形式構建一個包含CPU、GPU和存儲廠商在內的完整AI生態(tài)系統(tǒng)。

HBF的價值，對于我們普通用戶來說并非只是多了一種標準，而在于終于可以打破目前“高性能存價格就必須昂貴”的魔咒。

如果HBF全球標準化推進順利的話，將填補HBM和SSD之間存在的巨大的真空，這一技術結構的重新分配，將直接促使AI推理市場對HBM的非理性需求依賴被大幅分流。

AI產(chǎn)業(yè)在突破存儲系統(tǒng)瓶頸時，有了更多的選擇，也因此將不再盲目的鎖死所有高價DRAM產(chǎn)能，HBM近乎瘋狂的供需缺口就會填補。

如果HBF成功上位，極有可能終結這一輪存儲“超級周期”的關鍵節(jié)點。

讓消費級存儲的價格重新回歸到理性。