“采取超常規措施”突破光刻機：同時開發5種技術路線，擇優汰劣

前沿導讀

在我國發布的十五五規劃當中，重點提到了中國科技產業的自立自強，要“采取超常規措施”，全鏈條推動集成電路、工業母機等重點領域關鍵核心技術攻關取得決定性突破。

針對“采取超常規措施”這個概念，飛騰公司副總經理郭御風先生對此解釋稱：

這并非意味著要違背科學規律去“大干快上”，其核心要義在于打破常規的路徑依賴和體制機制障礙。過去我們處于“跟跑”階段，目標是追趕，可以沿著別人的腳印走。但現在我們要邁向“并跑”甚至“領跑”，前方沒有現成的路，就必須運用非常之法，去行非常之事。

參考資料：
如何理解“采取超常規措施”加快核心技術攻關？政協委員解答

• https://www.guancha.cn/economy/2026_03_07_809148.shtml

多路并進

郭御風先生還進一步闡釋了“全鏈條推動”這個概念，芯片做出來了，沒有配套的操作系統，芯片就沒辦法發揮作用，成為了孤島。操作系統有了，沒有上層的控制軟件，操作系統只是一個空殼。全鏈條的核心主旨就是要求產業生態的協同創新高，而非單一技術的點狀突破。

據《學習時報》發布的權威資料顯示，集成電路是數字化時代的“糧食”和“大腦”，其整體發展需要依賴于先進材料、高端設備、工業母機、EDA工具等多種技術的深度融合。

EDA是設計芯片的自動化軟件工具，硅片、光刻膠等材料是制造芯片必要的基礎材料，光刻機、刻蝕機、測量機是制造芯片的核心設備，而超精密機床則是為相關制造設備加工必要的零部件。這種涉及到全局性、牽一發動全身的產業鏈問題，是我們解決卡脖子的核心難題。

核心技術的自主化攻關，直面的問題就是外國企業的技術專利。在制造設備領域，技術專利就如同四面密不透風的城墻，牢牢把核心技術封鎖在城內。除非對方向你主動開放城門（技術授權），否則我們必須要想辦法繞過這座城池。

為提升技術突破的成功率，我們選擇多路并進的方法來實施“超常規措施”。

針對對明確的技術難題，公開發榜，不限團隊背景“揭榜掛帥”，同時支持3——5個不同技術路線的團隊并行攻關，在競爭中優選最優解。

參考資料：
「鏈接」

• https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzAwMjExNDU1Mw==&mid=2650649305&idx=1&sn=f5de84bae3e41815c038516d01734fec&chksm=83b55eca37915cd395b2ac44b2612f50759364d708459d1c16fe36168ff6954a0adf01e5fdf8&scene=27

這種同時發展多個技術項目的方法，也是西方企業在半導體領域發展壯大的原因之一。

英特爾依靠存儲芯片發家致富，在繼續發展存儲芯片的同時還布局通用CPU產業。隨后英特爾遭到了來自于日本企業低價存儲芯片的沖擊，其存儲業務遭到重創，經濟下滑嚴重，甚至面臨倒閉的風險。

時任英特爾CEO的格魯夫選擇砍掉存儲芯片項目，放棄與日本企業在該領域進行競爭，全面研發通用CPU技術。雖然英特爾失去了最初發家致富的存儲器，但是通用CPU項目讓英特爾在后來成為了該領域的市場霸主。

擇優劣汰

再拿光刻機產業舉例，如今還在研發光刻機的國家只剩下荷蘭、日本、中國這三國的企業。

荷蘭的ASML擁有先進光刻機的統治權，以浸潤式技術和LPP—EUV技術領先全球。日本則是尼康和佳能兩家光刻機企業，尼康持有ArF浸潤式以及KrF干式技術光刻機，但是較ASML的設備技術落后明顯。佳能持有KrF光刻機以及先進的納米壓印光刻機，其重點目標都放在了納米壓印領域。

而中國的光刻技術團隊則是對多個技術方法同步進行攻堅，在多個方法中找尋一條合適的路線。

根據檢索到的官方權威信息顯示，哈爾濱工業大學主導DPP—EUV技術、中科院上海光機所主導與ASML一樣的LPP—EUV技術、杭州璞璘科技主導與日本佳能一樣的納米壓印技術、中科院研究團隊正在嘗試雙激光束技術、清華大學正在嘗試穩態微聚束技術（SSMB）。

參考資料：
哈工大兩項目獲黑龍江省高校和科研院所職工科技創新成果轉化大賽一等獎
工研閃報 | 國內光刻光源專利“冒尖”，LPP-EUV路線外再辟新思路 - 研究院要聞 - 武漢光電工業技術研究院
清華團隊發Nature，新一代加速器光源亮相-清華大學
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這種多路并進的方法雖然技術壓力較大，而且現在大多處于測試階段，甚至還有可能會失敗。但是這種擇優劣汰的方法，可以最大限度提升我國突破封鎖的成功率。

考慮到后續的市場發展，我國也提出了以政企單位作為“領先用戶”，直接采購尚未完全成熟但具備重大戰略意義的產品和服務，幫助產品快速迭代。

先把國產的東西用起來，在用的過程中找到需要優化解決的問題，然后聯合設計商以及制造商共同解決問題，一點點提升國產設備的技術競爭力。