HBM 4，走向分叉點

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三星電子和SK海力士正在下一代高帶寬內存（HBM4）市場展開激烈的競爭，力圖占據主導地位。HBM4已成為人工智能時代的核心基礎設施，這場競爭不僅是三星和SK爭奪全球內存領導地位的較量，也關乎韓國經濟的未來。HBM4市場可能會顯著影響兩家公司對人工智能未來的愿景，其影響范圍不僅涵蓋下一代內存技術，還包括整個供應鏈。

三星電子和 SK 海力士在推進下一代高帶寬存儲器 (HBM) 的邏輯（基礎）芯片工藝方面，呈現出略有不同的立場。

三星電子計劃積極采用超精細工藝，并將性能放在首位。SK海力士也在推進工藝微型化以滿足客戶需求，但其戰略主要側重于成本效益。市場關注的焦點在于這兩家公司的戰略性技術決策將如何塑造未來的市場格局及其帶來的影響。

據業內人士11日透露，三星電子和SK海力士在開發下一代HBM邏輯芯片工藝方面采取了不同的策略。

三星電子致力于推進邏輯芯片工藝，并著手設計2納米工藝。

邏輯芯片是負責HBM控制器功能的芯片。它位于核心芯片下方，核心芯片垂直堆疊著多個DRAM。邏輯芯片通過PHY（物理層）連接系統半導體，例如HBM和GPU，從而實現高速數據交換。

在HBM中，邏輯芯片的重要性日益凸顯。隨著HBM技術的演進，由于單引腳處理速度的提升和DRAM堆棧數量的增加，邏輯芯片的性能要求也必須隨之提高。因此，從HBM4開始，三星電子和SK海力士正將邏輯芯片的生產從現有的DRAM工藝轉移到更先進的代工工藝。

三星電子是目前在邏輯芯片領域積極采用先進工藝的公司。此前，三星電子計劃在2023年左右將HBM4的邏輯芯片工藝從8納米(nm)升級到4納米。

此外，三星電子正在設計采用2nm工藝的邏輯芯片，為即將到來的定制化HBM時代做準備，而HBM4E將標志著這一時代的正式開啟。2nm是一種尖端的晶圓代工工藝，已于去年下半年開始量產。據悉，系統LSI事業部內的定制SoC團隊目前正在為每位客戶開發優化的芯片。

一位知情人士強調：“HBM客戶希望在下一代產品中實現更低的功耗和更高的帶寬，而三星電子認為，解決這一問題的根本方法是推進邏輯芯片工藝的發展。”他補充道：“我們將在今年看到這項研究和開發的具體成果。”

SK海力士在為精細加工做準備的同時，專注于成本優化。

SK海力士正通過臺灣領先的晶圓代工廠臺積電進行邏輯芯片的量產。HBM4采用12nm工藝。

SK海力士也計劃在其HBM4E芯片上采用3nm工藝。雖然該公司最初計劃采用4nm工藝，但據報道，最近已將其工藝向上調整，以滿足客戶需求并提升性能。

然而，HBM4E產品并未顯著反映客戶需求，計劃沿用現有HBM4的12nm工藝。盡管近期有批評指出HBM4的邏輯芯片性能落后于其主要競爭對手三星電子，但三星仍決定堅持使用現有工藝。

業內人士認為，SK海力士在邏輯芯片方面更注重成本優化，而非一味追求性能提升。事實上，據內部和外部消息來源稱，SK海力士在推進HBM4E邏輯芯片工藝方面采取了較為保守的態度。相反，其戰略是專注于其他領域的技術進步，例如新的封裝方法。

一位知情人士表示：“SK海力士認為其目前的邏輯芯片工藝足以應對HBM4E。如果它意識到存在嚴重的性能問題，就會對工藝進行改進。”他還補充道：“與競爭對手不同，SK海力士認為快速改進邏輯芯片工藝并無益處。”

（來源：編譯自zdnet）

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