黃仁勛：等美國用上最好的，把次點的賣到中國

3月19日，英偉達首席執行官黃仁勛在接受美國數字媒體Punchbowl News采訪時，在談到英偉達對華銷售策略時表示，計劃在公司下半年推出最先進的Vera Rubin芯片、并確保美國企業率先使用后，向美國政府申請將次一級的Blackwell架構芯片出售給中國市場。

黃仁勛的原話是：“等所有美國企業都用上Vera Rubin，我們就該考慮讓Blackwell進入中國市場競爭了。”

黃仁勛強調，中國是全球第二大人工智能市場，美國只有在這一市場保持競爭力，才能鞏固其在全球AI領域的主導地位。

01、英偉達的算盤

受美國出口管制政策影響，英偉達最先進芯片對華銷售長期受阻，黃仁勛本人曾透露，英偉達在中國的市場份額已從過去的95%左右驟降。

有數據顯示，其2025年在華市占率已從巔峰期的85%暴跌至54%，而本土廠商份額飆升至46%。

中國市場對英偉達業績影響非常大，約占全球收入的25%，失去該市場將造成重大影響。

就在此次采訪前幾日（3月16日），黃仁勛在年度GTC大會上宣布，公司已獲得許可，正重啟面向中國客戶的H200人工智能加速器生產，并已收到多家客戶訂單。

然而，這一“好消息”背后卻充滿尷尬，早在2026年3月初，就有英媒報道稱，英偉達已停止生產面向中國的H200芯片，因為在美國政府批準出口后的兩個月內，該芯片在中國的銷量實際為零。

H200基于上一代Hopper架構，與最新的Blackwell相比已顯落后，在中國本土芯片崛起和性能代差的雙重因素下，市場吸引力有限。

因此，黃仁勛的算盤非常清晰：通過“Vera Rubin美國優先，Blackwell對華銷售”的節奏，在維持美國技術領先優勢的同時，用Blackwell這款比H200更先進的產品（盡管仍是次一代）重新叩開中國市場大門，阻止份額進一步流失。他打算在2027年初全力推動美國政府批準Blackwell的對華銷售。

02、什么是H200芯片

H200芯片是英偉達在2023年11月發布的新一代人工智能加速器，是基于Hopper架構打造，專為超大規模大模型訓練和推理場景設計。

H200芯片采用臺積電4N制程工藝（5納米改進版），配備141GB HBM3e高帶寬內存，內存帶寬達4.8TB/s，較前代H100內存容量提升1.8倍、帶寬提升1.4倍。

H200芯片在制造工藝上難點主要有三個方面，一是先進制程良率控制，4納米節點晶體管密度極高，微細線路加工精度要求達到原子級別，稍有偏差即影響芯片性能；

二是HBM3e內存堆疊技術，需將多層DRAM芯片垂直整合，熱管理難度極大，散熱不均易導致信號干擾；

三是芯片封裝工藝，H200采用CoWoS先進封裝技術，將GPU與高帶寬內存集成于同一基板，對準精度要求極高，任何微小偏移都會影響數據傳輸穩定性。這些工藝難點使得H200產能受限，成為全球AI算力爭奪的焦點資源。

事實上，中國科技企業正加速推進半導體自主化，根據IDC數據，2025年英偉達在華的市占率已從巔峰時期的85%暴跌至54%，本土廠商份額飆升至46%。

華為昇騰、阿里平頭哥、寒武紀等國產芯片在性能與生態上快速追趕，其中華為昇騰在國內大模型訓練市場站穩腳跟；阿里平頭哥的GPU推理性能據稱已達到英偉達H100的80%，價格僅為其60%；寒武紀在2025年營收暴增453%，實現首次年度盈利。

因此，中國市場早已不是“給啥吃啥”，而是進入了“挑著吃”的階段。