微導納米攜全場景薄膜沉積解決方案亮相 加速國產設備量產替代

2026年3月25日，SEMICON China 2026在上海啟幕，國內半導體高端薄膜工藝沉積設備領軍者微導納米（688147.SH）攜全場景ALD及CVD設備解決方案矩陣重磅參展。當前，AI驅動先進邏輯芯片升級、HBM（高帶寬存儲）催熱先進封裝、存儲芯片擴產潮三大產業趨勢交匯，微導納米集中展出面向邏輯、存儲芯片、先進封裝等多領域的全系列薄膜沉積產品，彰顯國產設備在核心賽道的技術突破與產業化進展。

作為半導體制造的核心環節，薄膜沉積設備直接決定芯片性能與良率，長期以來被海外企業主導。此次微導納米的參展陣容，不僅覆蓋主流應用賽道，更在多個關鍵技術領域實現突破，成為國產薄膜沉積設備邁向“大規模量產替代”的重要縮影。

邏輯芯片制造：PEALD助力技術突破

在邏輯芯片制造領域，工藝節點持續演進對薄膜沉積設備的精度、穩定性提出更高要求。據悉，微導納米是國內首家將量產型High-k ALD設備應用于28nm前道生產線的國產廠商，此次展會上，其新一代iTomic? PE系列等離子體增強原子層沉積設備引發行業關注。

該設備采用獨特的Thunder Balance?技術，可實現射頻效果的毫秒級切換，在薄膜均勻性、致密性及顆粒控制等關鍵指標上達到國際先進水平，能夠滿足邏輯芯片關鍵界面層與阻擋層的嚴苛制造需求，為產業升級替代提供核心設備支撐。

存儲芯片賽道：空間ALD破解高深寬比填充難題

隨著3D NAND、3D DRAM等存儲芯片技術向高層數、高集成度演進，高深寬比結構的薄膜填充成為行業核心痛點。此次微導納米重點展出的iTomic? SPX系列空間型原子層沉積設備，針對性解決了這一行業難題。

該產品采用獨創的空間ALD技術，通過優化反應腔體設計，在保持近100%優異臺階覆蓋率的同時，大幅提升沉積速率，且單腔可同時處理多片晶圓，具備生產效率高、維護間隔長的優勢，完美匹配存儲芯片量產線對產能與薄膜質量的雙重需求。，可有效提升深孔、深槽等復雜結構中薄膜沉積均勻性指標。

據悉，微導納米的iTomic?系列ALD設備與iTronix?系列CVD設備已批量進入國產存儲芯片量產線，是國內首批進入存儲芯片量產線的國產硬掩膜沉積工藝專用高端PECVD設備。

先進封裝領域：低溫PECVD搶占AI算力市場先機

AI算力浪潮下，HBM、Chiplet等先進封裝技術成為提升芯片性能的核心路徑，也對薄膜沉積設備提出了全新的技術要求，尤其是低熱預算工藝需求日益迫切。微導納米率先推出的iTronix?系列低溫PECVD設備，精準契合這一市場需求。

依托專有的冷卻和動態溫控技術，該設備可在50~450°C的溫度區間內實現高質量薄膜沉積，有效解決了傳統高溫工藝導致的晶圓翹曲、材料熱損傷等問題，能夠滿足2.5D/3D封裝中低熱預算、高縱橫比溝槽、厚膜沉積等關鍵需求，顯著提升封裝良率。

量產驗證成效顯著 半導體業務成增長核心

技術突破的背后，是市場驗證的有力支撐。數據顯示，短短3年內，微導納米設備累計過貨晶圓已突破600萬片，這組數據的快速不僅印證了其設備的高性能、高穩定性、高可靠性，也標志著其ALD及CVD設備早已邁入大規模量產階段。

業績層面，微導納米2025年半導體設備收入達8.81億元，同比增長169.12%，占主營業務收入比重從12.14%躍升至33.50%，公司戰略轉型從“培育期”正式進入“收獲期”，半導體業務已成為驅動公司增長的核心引擎。

持續的研發投入是技術突破的關鍵。據微導納米CTO黎微明透露，公司研發投入占比長期保持在20%左右，近期成功發行的可轉債也為企業持續創新提供了充足的資金保障。

業內人士表示，微導納米此次在SEMICON China 2026的實力亮相，不僅展現了國產薄膜沉積設備的技術實力，更彰顯了國產設備企業在核心賽道的前瞻布局。隨著先進制程、先進封裝、新興半導體領域的需求持續釋放，微導納米有望憑借全場景產品矩陣與規?；慨a能力，進一步加速國產設備替代進程，推動國內半導體產業鏈自主可控發展。