存儲雙雄，HBM徹底賣爆

三星電子、SK海力士，HBM預計出貨300億Gb。

三星電子、SK海力士高帶寬內(nèi)存（HBM）出貨量預計今年仍將實現(xiàn)大幅增長。據(jù)觀測，受益于英偉達、博通、AMD 等客戶的需求，三星電子的HBM出貨量將突破100 億 Gb。而SK海力士盡管近期面向英偉達供應的HBM4 陷入性能爭議，但市場普遍認為，該公司在滿足合理性能區(qū)間的產(chǎn)品供應方面不存在問題。整體來看，兩家企業(yè)年初設定的HBM出貨量目標預計不會出現(xiàn)重大調(diào)整。

業(yè)內(nèi)消息顯示，三星電子與SK海力士今年HBM出貨量按容量合計預計將達到300 億 Gb。

三星電子HBM出貨量有望突破100億Gb

三星電子已設定目標，今年HBM產(chǎn)量較去年擴大3倍以上。三星電子內(nèi)存開發(fā)負責人黃相俊副社長在GTC 2026上表示：“我們正在快速擴大HBM產(chǎn)能，計劃今年產(chǎn)量較去年提升 3 倍以上。”據(jù)估算，三星電子去年HBM總出貨量約為40億 Gb。以此推算，今年出貨量目標將達到110億Gb左右。

事實上，三星電子在去年底制定今年HBM業(yè)務戰(zhàn)略時，就對這一增長態(tài)勢抱有信心。原因是其下一代產(chǎn)品HBM4獲得了英偉達的積極反饋，與 AMD、博通等其他客戶的供應協(xié)商也已進入收尾階段。博通為谷歌、OpenAI等科技巨頭代工AI芯片。預計英偉達將成為三星電子HBM4的最大客戶。

三星電子HBM的核心芯片采用1c DRAM，承擔控制器功能的基底裸片則采用自家代工4納米工藝，兩款裸片的工藝精度均優(yōu)于競爭對手。基于此，三星電子被認為率先滿足了英偉達提高的 HBM4 性能標準。原本 JEDEC（國際半導體標準化組織）制定的HBM4標準為8Gbps級別，而英偉達將要求提升至11.7Gbps。

在HBM3E產(chǎn)品方面，博通是最大客戶。谷歌自研AI芯片TPU搭載HBM，據(jù)悉今年將大幅擴大基于 HBM3E的v7p版本采購量。

不過業(yè)內(nèi)認為，三星電子HBM出貨量進一步提升的可能性并不高。截至今年年底，三星可獲得的 1c DRAM產(chǎn)能約為月產(chǎn)13萬片，其中大部分已分配給HBM，難以再獲得額外產(chǎn)能。

SK海力士雖陷性能爭議，出貨量計劃維持不變

SK海力士今年HBM出貨量預計將達到200億Gb左右，較去年（約120億Gb）增長約60%，其中約三分之二分配給英偉達。公司計劃上半年主力供應HBM3E，下半年起擴大HBM4供應量。

近期SK海力士陷入市場擔憂：其面向英偉達的HBM4供應可能受阻，原因是難以滿足英偉達上調(diào)后的HBM4性能要求。SK海力士HBM4的核心芯片采用1b DRAM，基底裸片采用臺積電12 納米工藝，工藝相比三星更偏成熟制程。實際上，SK海力士HBM4在與 AI 加速器整合的2.5D封裝測試中，未能達到最高性能指標，核心原因被認為是電力無法穩(wěn)定傳輸?shù)胶诵穆闫钌蠈印Υ耍琒K海力士正通過修改部分電路進行改進。

但業(yè)內(nèi)預計，SK海力士面向英偉達的HBM供應量基本不會偏離原計劃。原因是英偉達雖將HBM4最高性能要求提至 11.7Gbps，但同時也采購10Gbps等較低性能版本。若只采用最高規(guī)格產(chǎn)品，可能無法充分量產(chǎn)其最新高端AI芯片 “Vera & Rubin”。

SK海力士社長郭魯正也在近期公司年度股東大會上表示：“雖與客戶協(xié)商對產(chǎn)品結(jié)構(gòu)做了小幅調(diào)整，但整體HBM出貨量計劃沒有重大變化。”

一位半導體業(yè)內(nèi)人士表示：“隨著HBM4進入商用階段，各種性能與客戶相關的問題不斷出現(xiàn)，但三星電子和SK海力士均未大幅調(diào)整原定HBM出貨目標。由于HBM整體供應能力遠低于需求，市場普遍認為兩家產(chǎn)品都將保持熱銷。”

*聲明：本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個人觀點，我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認同，如有異議，請聯(lián)系后臺。