萬億美元“芯時代”，先進封裝、3D IC成為群雄“逐鹿”之地 | SEMICON China觀察

每經記者：朱成祥 每經編輯：廖丹

3月25日至27日，半導體行業盛會——SEMICON China如期而至。本屆展會匯聚了1500余家上下游企業，吸引超18萬專業觀眾。

漫步展館，北方華創與中微公司的展臺前人頭攢動，擁擠的人潮折射出市場的高度關注。高漲的人氣背后，究竟顯示出一條怎樣的產業進階之路？

北方華創展臺前人頭攢動 圖片來源：每經記者 朱成祥 攝

SEMI中國總裁馮莉在開幕主題演講中表示，在AI算力以及全球數字化經濟驅動下，全球半導體產業迎來了歷史性時刻，原認為2030年才會達到的萬億美元“芯時代”有望于2026年底提前到來。同時，她認為，2026年半導體產業的三大趨勢包括AI算力、存儲革命、由先進封裝等技術驅動的產業升級。

3D制造相關設備崛起

如果說灣芯展是新凱來的主場，那SEMICON China或許是中微公司的主場。在此次展會上，中微公司的動向成為業內關注的焦點。盡管中微公司略顯低調，其小規模定向邀約的新品發布會也擠滿了希望“一睹風采”的業內人士。

半導體前道制造中，光刻固然重要，但刻蝕、薄膜沉積這兩大工藝同樣非常重要。特別是從平面型集成電路走向3D制造，刻蝕、薄膜沉積的重要性日益凸顯。

AI算力方面則需要更先進的制程，以支持在單位空間放置更多的晶體管，從而提升算力。十多年以來，半導體先進制程一直基于鰭式場效應晶體管（FinFET）結構，而如今，正在轉向GAA（全環繞柵極）結構。

存儲革命方面，不僅僅NAND（閃存）正在走向3D，DRAM（內存）也開始走向3D結構。3D DRAM不同于HBM（高帶寬內存）。HBM是多片DRAM封裝成立體的結構，3D DRAM是把單片DRAM做成3D立體結構。這是未來DRAM提升容量、帶寬的重要方向。

在FinFET走向GAA，存儲芯片從平面走向3D的背景下，中微公司有何動作？公司針對GAA晶體管、3D DRAM等三維器件制造的關鍵工藝，推出了Primo Domingo?高選擇性刻蝕設備，填補了國內在下一代3D半導體器件制造中關鍵刻蝕工藝的自主化空白。

中微公司表示，該產品的成功研發，不僅進一步豐富了公司在高端刻蝕設備領域的產品矩陣，更有力支撐了集成電路產業在先進工藝節點上的技術攻堅，為客戶實現更高性能、更小尺寸的器件制造提供了關鍵工藝設備保障。

另外，在3D NAND領域，尤其需要高深寬比刻蝕機。此次，中微公司針對5納米及以下邏輯芯片和先進存儲芯片的高深寬比刻蝕需求，發布了新一代電感耦合ICP等離子體刻蝕設備Primo Angnova?。

值得一提的是，記者在現場看到，長春光機所也展示了DUV（深紫外光）物鏡。不過，其工作人員表示，該產品僅用于晶圓檢測領域，并非光刻機用DUV物鏡。

國內先進封裝水平幾何？

當下AI算力、存儲芯片的產能擴張，很大程度上更加受制于先進封裝設備。國內先進封裝設備廠商華封科技就表示，先進封裝產能全球稀缺，臺積電先進封裝產能預定至2030年，日月光產能至2028年底基本滿載，市場存在巨大的產能補充需求。

先進封裝也在重構半導體產業鏈。原本的產業鏈中，晶圓廠負責晶圓制造，將其交給委外封測廠進行封裝測試，再由模組廠進一步組裝，最后形成終端產品。而隨著先進封裝的發展，很多晶圓廠也開始進入先進封裝領域，上述制造模式轉為“晶圓制造—先進封裝—終端產品”。

在上述背景下，先進封裝設備廠商開始從“十年磨一劍”向“整線解決方案”轉型，而整線解決方案需整合全產業鏈頂級資源。

華封科技聯合首席科學家杜嘉秦表示，當前先進封裝技術正從電磁學走向力學的深水區，設計與封裝環節的邊界加速消融。華封科技在設計工具（Process Design Kit）上深度對接全球半導體產業鏈頂尖技術，從設備、材料到底層物理特性進行全方位技術攻堅。

而先進封裝設備的玩家，不僅僅是傳統封裝測試設備廠商，前道設備廠商也開始進入，比如拓荊科技。該公司也是國內第三家突破千億元市值的半導體設備廠商，僅次于北方華創和中微公司。

拓荊科技近年來憑借在薄膜沉積領域的深厚積累，成功向先進封裝領域拓展。本次展會展出的3D IC（三維集成電路）系列新品涵蓋熔融鍵合、激光剝離等多款產品，重點聚焦先進邏輯芯片Chiplet異構集成、三維堆疊及HBM相關應用。

鍵合設備被視為3D IC的重要設備，它能將芯片、晶圓在立體空間連接起來。目前，先進封裝領域鍵合設備市場，主要由奧地利廠商EVG等公司占據，而拓荊科技則是國內鍵合設備重要廠商。

此次SEMICON，拓荊科技帶來的四款新品中，就有3D IC系列設備。熔融鍵合設備方面，Pleione 300 HS兼容多種芯片尺寸和厚度，能實現自動更換拾取與鍵合模組，產能高于現有產品的50%。Lyra 300 eX 新一代晶圓激光剝離設備，應用于先進邏輯（BSPDN）和先進存儲（VCT）背面工藝，是無金屬污染、低應力、無熱影響的設備與工藝的完整解決方案。

可以看出，先進封裝、3D IC已成為各類半導體設備廠商群雄逐鹿之地。半導體前道設備各類細分賽道被少數廠商所壟斷，比如ASML的光刻機、泛林的刻蝕、應用材料的薄膜沉積設備、TEL的涂膠顯影、愛德萬測試的先進測試設備等。而在先進封裝、3D IC設備領域，競爭才剛剛開始。