鵬舉半導體：以創新驅動，加速半導體設備國產化高端突破進程

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近年來，中國半導體設備國產化進程顯著加速，在政策支持、市場需求、技術突破等多重因素的驅動下，正逐步從“中低端替代”邁向“高端突破”，為全球半導體產業格局帶來深刻變革。

江蘇鵬舉半導體設備技術有限公司（以下簡稱“鵬舉半導體”）由江蘇省產業技術研究院，南通創新區和海歸團隊共同投資成立。是一家專注于半導體關鍵組件及特種工藝設備的高新技術公司，集設計、研發、制造、銷售及工藝技術支持服務于一體的綜合解決方案供應商。

鵬舉半導體攜帶多款產品參加“第十五屆中國國際納米技術產業博覽會”。

鵬舉半導體目前主要產品包括高真空管路、腔室設計;柵網;離子源；研發型、產業化型原子層沉積（ALD）；研發型原子層刻蝕（ALE）；HF，XeF刻蝕機/離子束刻蝕IBE/沉積設備IBD等，廣泛應用于IC 芯片、MEMS、LED、光通信、強激光、深紫外、磁存儲等器件的生產。

在高真空管路和腔室設計方面，鵬舉半導體憑借精湛的技術和嚴格的質量控制，打造出高品質的產品，為半導體設備的穩定運行提供了可靠的保障。柵網和離子源作為半導體設備中的核心部件，其性能直接影響著設備的整體性能。公司通過自主研發和創新，成功攻克了多項技術難題，生產出的柵網和離子源具有高精度、高穩定性等特點，廣泛應用于各類半導體設備中。

原子層沉積（ALD）和原子層刻蝕（ALE）技術是當前半導體制造領域的前沿技術，對于提高芯片的性能和集成度具有重要意義。鵬舉半導體自主研發的研發型和產業化型原子層沉積（ALD）設備以及研發型原子層刻蝕（ALE）設備，具有先進的技術水平和優異的性能指標。

此外，鵬舉半導體還生產HF、XeF刻蝕機、離子束刻蝕IBE、沉積設備IBD等，廣泛應用于IC芯片、MEMS、LED、光通信、強激光、深紫外、磁存儲等器件的生產，為不同領域的客戶提供了多樣化的解決方案。

鵬舉半導體集聚國內外半導體領域技術專家，來自清華大學，美國Bell Lab貝爾實驗室，英特爾，海力士等資深半導體人士領銜，自主研發生產國內半導體產業所需的“卡脖子”關鍵組件及工藝設備。

創新是企業發展的源動力，鵬舉半導體高度重視技術創新和知識產權保護。鵬舉半導體擁有一支高素質的研發團隊，不斷加大研發投入，積極開展技術研發和創新活動。截至2025年，公司已擁有1個企業品牌項目、2個注冊商標、50項專利信息和1個軟件著作權，知識產權實力雄厚。

鵬舉半導體集聚國內外半導體領域技術專家，來自清華大學，美國Bell Lab貝爾實驗室，英特爾，海力士等資深半導體人士領銜，自主研發生產國內半導體產業所需的“卡脖子”關鍵組件及工藝設備。

這些知識產權成果不僅體現了鵬舉半導體的技術創新能力，也為公司的市場競爭提供了有力的法律保障。例如，公司申請的“半導體原子級工藝設備集中控制系統專利”，可用于批量性實驗及安全教學，具有較高的實用價值和市場前景。通過不斷的技術創新和知識產權積累，公司逐步建立了自己的技術壁壘，提升了在半導體設備領域的核心競爭力。

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