三星為存儲崩盤做好準備

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三星電子半導體事業部（DS）預計今年將創下業績新高，但該公司擔心，在經歷了由存儲半導體供應短缺帶來的持續一到兩年的超高增長期后，可能會再次陷入低迷。隨著人工智能基礎設施投資熱潮的興起，需求預測的不確定性增加，導致人們對擴大生產設施的擔憂日益加劇。這是因為過去曾有先例，需求預測失誤導致過度投資，最終造成巨額虧損。

據業內人士13日透露，三星電子DS事業部管理層及業務支持團隊正在考慮全球存儲半導體市場可能從2028年開始逆轉的可能性。在人工智能熱潮推動下實現利潤最大化的同時，提高業務效率以降低過度投資的風險已成為一項至關重要的任務。

這意味著，在對下一代高帶寬內存（HBM）產品線和先進工藝轉型進行大規模投資的同時，迫切需要制定應對不可預測的需求放緩的應急計劃。分析還表明，人工智能熱潮之后，內存需求變得不穩定，供應周期縮短，這使得準確確定生產規模和所需投資變得困難。

今年，對于擴大DRAM和HBM供應的必要性，各方意見一致。包括NVIDIA、AMD和博通在內的大型科技公司對HBM的需求預計將持續到明年，而DRAM領域的兩大領軍企業三星電子和SK海力士，其DRAM總銷量的一半以上都來自HBM。隨著這兩家公司不斷增加HBM的供應，智能手機、PC和服務器的DRAM供應正面臨短缺。

三星電子正在其華城工廠推進向下一代DRAM工藝的過渡，并擴建新的生產線。業內人士預計，三星今年將繼續推進向10納米第五代（1b）DRAM工藝的過渡，同時通過以平澤工廠為中心的新生產線擴建，確保10納米第六代（1c）DRAM的產能。

盡管空間有限，SK海力士仍在繼續推進其積極的投資計劃。該公司正以利川、清州和龍仁等主要生產中心為中心，擴大存儲器產能。尤其值得一提的是，位于M15X的新工廠正在建設下一代DRAM生產線。

由政府主導的龍仁半導體產業集群開發項目預計也將成為兩家公司擴大產能的轉折點。龍仁產業集群旨在成為韓國半導體產業的核心生產中心，基礎設施建設和工廠建設正在分階段推進。業內人士認為，在龍仁產業集群一期投資完成后，將啟動更多工廠建設和大規模生產，到2028年，通過二期投資，生產空間有望進一步擴大。

關鍵在于，美國美光科技正在擴建DRAM生產線，而日本鎧俠和中國長江存儲則在推進NAND閃存生產線的擴張。美光科技正在臺灣、新加坡和美國等地擴建DRAM生產線，并且自去年以來，已大規模訂購設備以增加HBM的供應。考慮到生產線建設通常需要兩年左右的時間，預計從2028年起，包括三星電子、SK海力士和美光科技在內的所有存儲器廠商的產能都將提升到一個新的水平。

就NAND閃存而言，如果目前的增長速度持續下去，預計其供應過剩的速度將比DRAM更快。DRAM市場由三星電子、SK海力士和美光三大廠商主導，而NAND閃存市場則涌現出更多參與者，包括鎧俠和中國長江存儲等，這些廠商不斷提升自身的技術能力和產能。因此，近年來NAND閃存的價格競爭日益激烈，就連三星電子和SK海力士也難以避免虧損。

一位熟悉三星的消息人士解釋說：“就在去年夏天，三星電子和SK海力士都無法預料到這種繁榮景象，這也凸顯了預測半導體市場狀況和制定投資計劃的難度。”該消息人士補充道：“正因如此，三星的業務支持團隊正在仔細斟酌各項投資，確保投資決策與全面的市場驗證和預測相符。”

Counterpoint表示，“內存價格短期內不可能下降”

隨著內存短缺加劇——春節期間，DRAM 和 NAND 閃存價格飆升近三倍——分析師預測，供應緊張的局面至少會持續到明年下半年。

12日，市場研究公司 Counterpoint Research 通過一場在線研討會分享了這一預測。Counterpoint 指出，春節前后，64GB 服務器 DRAM 內存條（RDIMM）DDR5 的價格環比上漲 150%，移動端 12GB LPDDR5X 的價格上漲 130%，而面向筆記本電腦的 8GB SO-DIMM DDR4 內存條——盡管屬于傳統產品——價格也飆升了 180%。NAND 閃存產品的價格也出現了前所未有的 130% 至 150% 的漲幅。

預計內存短缺至少還會持續一年半，直至2026年下半年。即使三星電子和SK海力士聯合投入80萬億至90萬億韓元的資本支出，據說也無法滿足當前的需求。

Counterpoint Research分析師黃敏成表示：“預計今年三星、SK海力士、美光、CXMT和南亞的DRAM產量將增長26%，NAND產量將增長24%。然而，這些產量在2027年下半年之前都難以產生顯著影響。供應短缺問題預計要到2027年下半年末才能得到解決。”

在此背景下，預計今年HBM供應商的關鍵競爭將從市場份額轉向利潤率之爭。 Counterpoint指出，SK海力士去年占據了HBM出貨量和收入的約60%，但預計其份額在2025年將有所下降。

黃評論道：“與去年相比，三星今年有望在HBM4市場取得顯著增長。SK海力士的處境較為艱難，因為它需要對其現有的HBM4產品進行改造以滿足NVIDIA的需求——它能否迅速從中恢復過來將是值得關注的關鍵因素。”

Counterpoint表示，內存供應商正在取消定制HBM和專用AI芯片（ASIC）的生產，轉而提高通用內存的產量，以實現利潤最大化。黃強調：“鑒于超大規模數據中心的采購意愿依然強勁，內存價格在下半年不太可能出現回調。”

該公司還評估認為，中東沖突帶來的地緣政治風險不太可能在短期內對內存價格產生重大影響。黃指出：“短期內不太可能對內存價格產生影響，但如果能源危機持續下去，不斷上漲的資本成本和電費（占數據中心運營成本的一半以上）可能會導致‘芯片通脹’，從而抑制需求。”

這位分析師認為，值得關注的一點是中國的崛起，黃說。在上世紀90年代末的互聯網泡沫時期，韓國內存制造商與臺灣企業競爭，但如今他們面對的是一個實力遠勝于臺灣的中國，中國擁有巨額補貼和龐大的國內市場。”

（來源：編譯自chosun）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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