速度提升1萬倍、功耗降低96%！ 英偉達入局閃存研發！

三星電子已與英偉達（Nvidia）達成合作，共同加速開發下一代NAND 閃存芯片，業內消息人士證實了這一消息。

雙方聯合研發了一套人工智能系統，可顯著加速鐵電基超低功耗 NAND的研發。鐵電技術是決定 AI 芯片性能的關鍵技術。這一戰略反映了兩家公司在引領全球人工智能半導體熱潮的同時，力求在下一代芯片競爭中占據技術領先地位的努力。

據 12 日的業內消息，由三星電子半導體研究院、英偉達及佐治亞理工學院組成的聯合研究團隊，開發了一種名為 **“物理信息神經算子（PINO）”** 的模型。該模型分析鐵電 NAND 器件性能的速度，比傳統方法快10,000 倍以上。相關研究成果已在全球范圍內發布。

鐵電材料是一種新型物質，可在無需持續電輸入的情況下保持極化（即正負電荷分離狀態）。由于其能以極低功耗高效存儲信息，將這類材料應用于 NAND 存儲器件的研究一直十分活躍，而三星電子在這方面處于領先地位。鐵電 NAND指的是采用鐵電材料替代傳統硅材料制造的 NAND。

鐵電 NAND 的商業化應用，需要通過計算機模擬對閾值電壓、數據保持等材料性能特征進行精準分析與優化，以開展后續研究。半導體行業廣泛使用的分析工具 —— 技術計算機輔助設計（TCAD），單次運行通常需要60 小時，這嚴重限制了研究速度。而三星與英偉達的研究團隊成功利用基于物理定律訓練的人工智能，將單次運行時間縮短至10 秒以下。

與傳統硅不同，由鐵電NAND制成的NAND是鐵電NAND。得益于其高密度可疊加多達1000層，峰值比可降低96%的功耗，標志著行業的一項重大創新。強電動NAND正作為一項能夠同時應對包括英偉達在內的大型科技公司擔憂的供電和電力短缺的新技術而備受關注。

去年年底，三星電子在《自然》雜志上發布了一項研究，鑒定出了“低功耗NAND閃存用鐵電晶體管”的機制，該性能體現在這一性能上。為應對AI存儲需求的增長，公司還宣布將開展后續研究，目標是實現該產品商業化。三星電子目前擁有200~300層的NAND疊層技術，并且已知其正重點將鐵電技術作為未來實現1000層的關鍵技術。

據韓國知識產權局數據，在全球鐵電專利份額排名中，韓國以43.1%的占比位居前五名之首，其中三星電子一家就占據了27.8%的份額。

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