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Anomalous enhancement of thermal conduction across twisted van der Waals heterointerfaces
導讀
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作者:Yufeng Zhanga,1, Yanzheng Dua,1, Xiao Wana, Meng Ana, Aoran Fana, Fengyi Lia, Weigang Maa,2, and Xing Zhanga,2
作者單位:清華大學工程力學系熱科學與動力工程教育部重點實驗室
摘要:
二維范德華異質結構因其可調諧的電子和光子特性,成為后摩爾時代集成電路的重要候選材料。然而,異質界面固有的聲子不匹配通常導致較低的界面熱導,成為器件熱管理的瓶頸。傳統觀點認為,層間扭轉會破壞晶格對稱性,抑制聲子輸運。該研究通過時域熱反射(TDTR)成像技術,首次實驗發現,在MoS?/WS? 異質雙層中,層間扭轉可以反常地將界面熱導提升約2.5倍,從θ=0°時的12.1 MW·m?2·K?1增至θ=38°時的30.2 MW·m?2·K?1。結合分子動力學模擬和模態溫度分析,研究揭示這一增強源于扭轉誘導的非彈性聲子散射增強,重構了界面處聲子溫度分布,激活了高頻光學聲子向低頻聲學聲子的高效轉換通道。該工作為通過界面微擾增強非彈性散射、提升異質界面熱輸運性能提供了全新范式。
正文解讀
1.MoS?/WS?轉角異質結構
MoS?和WS?是典型的過渡金屬硫族化合物半導體,單層均為直接帶隙,具有高發光效率和良好的電子遷移率。將二者垂直堆疊形成MoS?/WS?異質雙層,可形成類型II能帶對齊,促進層間激子的形成。層間扭轉角度的引入進一步調制了層間耦合,形成摩爾超晶格,為調控聲子輸運提供了新維度。
樣品制備與表征:
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圖 1. 扭曲雙層MoS2/WS2異質結構的表征。
拉曼光譜顯示,異質區域同時出現MoS?和WS?的特征峰,且低頻剪切模和層間呼吸模的出現證實了強層間耦合。
PL光譜中,異質區域出現新的層間激子發光峰,進一步證明異質界面的形成。
HAADF-STEM圖像清晰顯示摩爾條紋,FFT和SAED圖案確認了轉角的精確值(如9.2°和28.1°),界面潔凈、平整。
2. 界面熱導的測量
該研究開發了基于時域熱反射成像的技術,結合人工神經網絡加速擬合,實現對轉角異質界面熱導的高通量、高精度測量。樣品結構為Al/MoS?/WS?/SiO?/Si,通過測量不同延遲時間下的熱反射信號,反演出界面熱阻分布。
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圖2. 扭曲雙層MoS 2 /WS 2 異質結構(tBMWHs)的角度依賴界面熱導率(ITC)。
對16個不同轉角的樣品進行成像測量,發現界面熱導隨轉角呈非單調變化:從0°開始上升,在38°附近達到峰值(30.2 MW·m?2·K?1),隨后下降至60°恢復初始值。
分子動力學模擬結果與實驗趨勢高度一致,驗證了實驗的可靠性。
對比同質結構(如MoS?/MoS?),其界面熱導隨轉角增大而下降,說明異質界面中扭轉增強熱導的現象具有獨特性。
3. 非彈性聲子輸運機制
為揭示扭轉增強熱導的微觀機制,研究進一步開展了模態溫度分解和頻譜熱流分析:
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圖3. MoS2/WS2界面非平衡聲子溫度和非彈性聲子輸運。
- 模態溫度分析表明,未扭轉時,熱側光學模溫度高于聲學模;扭轉后,熱側光學模溫度反而低于聲學模,出現“熱層級反轉”現象。這促使高頻光學聲子通過非彈性散射轉化為低頻聲學聲子,成為主要的熱輸運通道。
- 頻譜界面熱導分析顯示,扭轉后高頻光學聲子區(ZO/TO模)出現明顯貢獻峰,說明非彈性散射通道被激活。
- 溫度依賴性實驗進一步證實,扭轉后界面熱導在高溫下持續上升,非彈性散射貢獻從55%(θ=0°)提升至70%(θ=21.8°),是總熱導提升的主導因素。
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圖4. 扭曲均勻和非均勻界面聲子輸運機制的比較。
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總 結 與 討 論
該研究首次實驗證實,層間扭轉可顯著增強MoS?/WS?異質界面的熱輸運性能,顛覆了傳統“扭轉抑制熱導”的認知。其核心機制在于扭轉增強了非彈性聲子散射,重構了界面聲子溫度分布,激活了高效的光學-聲學聲子轉換通道。該策略具有普適性,在MoSe?/WSe?體系中也觀察到類似增強趨勢。未來,通過引入界面微擾(如滑移、褶皺等)進一步增強非彈性散射,有望為二維異質結構器件的熱管理提供全新解決方案。
文獻信息:
Zhang Y, Du Y, Wan X, et al. Anomalous enhancement of thermal conduction across twisted van der Waals heterointerfaces[J]. Proceedings of the National Academy of Sciences, 2026, 123(9): e2531049123.
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