利潤狂飆755%！三星業績爆表，AI存儲紅利加速釋放

芯東西（公眾號：aichip001）
編譯 劉煜
編輯 陳駿達

芯東西4月8日消息，昨天，三星電子公布2026年第一季度業績指引，稱根據韓國企業會計準則（K-IFRS）預計，其今年第一季度其合并營收約為133萬億韓元（約合人民幣6168.1億元），同比增長約68.1%；合并營業利潤約為57.2萬億韓元（約合人民幣2652.75億元），同比增長超755%。該公司此季度業績電話會議將于本月底舉行。

昨天，三星公布創紀錄的季度利潤預期后，韓股盤中，三星電子股價最高上漲約4.87%，隨后漲幅收窄，最終收漲1.76%。今天韓股收盤后，三星電子股價為210500韓元（約合人民幣976.23元），上漲約7.12%。

▲三星電子今天韓股收盤股價圖（圖源：Investing）

過去一年，高帶寬內存芯片（HBM）需求呈爆發式增長，引發全球存儲芯片市場供應短缺，推動三星等存儲廠商產品量價齊升。三星電子這份巨額業績預期，主要得益于其存儲芯片業務，尤其是AI計算所用高帶寬內存芯片的旺盛需求。

3月，據韓國產業垂直財經媒體The Bell報道，業界消息稱，三星電子已收到蘋果發出的12GB LPDDR5X DRAM采購訂單，該DRAM將搭載于蘋果首款折疊屏手機。蘋果是三星電子的核心客戶之一，該公司此前一直以相對較低的價格采購三星的內存，在最新一輪與三星的合約談判中，蘋果首次為內存漲價買單。

去年下半年，三星電子開始向英偉達及其他主要客戶供應第五代HBM（HBM3E），并從本季度起開始供應下一代HBM產品HBM4。韓國的科技與電子新聞媒體ETNews稱，三星電子此次預計實現的高營業利潤中，已體現出了HBM4帶來的部分收益。

據ETNews報道，由于三星電子等主流內存廠商將產能集中于HBM供應，目前面向服務器、手機、PC等領域的通用DRAM仍處于供應短缺狀態。這推高了HBM價格，也帶動了通用DRAM價格上漲。業內人士稱：“各大客戶正主動找到三星電子，強烈要求加大DRAM等內存產品的供應。”

ETNews稱，三星電子DRAM供貨價格在第一季度已暴漲至高位。與去年第四季度相比，整體DRAM供貨價格平均上調了100%以上，而NAND Flash價格同樣上漲約100%。

市場研究機構Counterpoint Research分析師Hwang Min-seong向CNBC透露：“三星電子一季度營收與營業利潤規模，已可與全球科技巨頭比肩。”他預測，今年第二季度通用存儲芯片價格預計將繼續上漲50%以上，供應緊張局面短期內難以緩解。

CNBC稱，若三星實現此次的利潤預期，將創下三星單季利潤紀錄，接近此前最高紀錄的三倍，同時遠超倫敦證券交易所集團（LSEG）旗下的智能基金篩選與評級工具路孚特智選預估的42.3萬億韓元。

今年1月，三星發布的2025第四季度財報電話會議內容顯示，2025年期間，三星電子的包含存儲芯片業務的DS（設備解決方案）部門，貢獻了約39%的總營收與約57%的營業利潤。

▲DS部門營收和營業利潤（圖源：三星電子官網）

CNBC稱，盡管三星電子的業績預期向好，但今年該公司仍可能面臨中東地區持續沖突帶來的不利影響。

近期，美國、以色列與伊朗之間的沖突，已導致氦氣等半導體制造關鍵原材料運輸受阻，三星、SK海力士等企業的生產面臨中斷的風險。

Hwang分析師稱：“若中東沖突快速結束，不會對利潤造成顯著影響；但如果沖突持續數月甚至更久，將引發嚴重后果。”

結語：AI算力需求引爆存儲超級周期，頭部廠商盈利大幅增長

當前，存儲芯片供需持續緊張，三星電子作為存儲芯片龍頭企業直接受益，其業績指引超預期，股價也應聲上漲。

不止如此，今年1月，韓國另一家存儲芯片巨頭SK海力士稱，2025年，該公司實現了創紀錄的年度最高收入，其營業利潤同比大漲101%。對于NAND業務方面，盡管上半年市場需求疲軟，但其仍完成了321層QLC內存產品的開發。并在下半年重點發力，優先供應企業級固態硬盤（eSSD），抓住了AI數據中心的大訂單。

3月，美光公布的財報稱，其第二財季DRAM營收為188億美元（約合人民幣1283.8億元），同比增長了約207%。NAND的營收為50億美元（約合人民幣341.44億元），同比增長約169%，占總營收的約21%。該公司預計，第三財季營收約為335億美元（約合人民幣2287.61億元）。

由此可見，在AI算力需求暴漲的當前，市場對于存儲芯片的需求持續高漲，頭部存儲企業盈利水平大幅提升。當前，存儲行業的增長邏輯已從消費電子逐漸轉向AI數據中心與企業級高端存儲，由于存儲芯片供需缺口仍在持續，存儲行業或還將處于由AI算力基礎設施主導的新一輪增長周期內。