IBM攜手泛林，劍指1nm以下制程

2026年3月10日，美國科技大廠IBM和半導體設備大廠泛林集團（Lam Research Corp.）宣布達成合作，旨在開發新的工藝和材料，以支持1nm以下邏輯芯片的微縮。基于雙方長期以來成功的合作經驗，這項新協議將重點聯合開發新型材料、制造工藝和高數值孔徑（High NA）極紫外（EUV）光刻工藝，以推進IBM的邏輯芯片微縮路線圖。

IBM和泛林集團已合作十余年，致力于推進邏輯器件制造技術的發展，尤其是在早期 7nm、納米片和 EUV工藝技術方面做出了卓越貢獻。根據這項為期五年的新協議，雙方計劃將邏輯器件的微縮技術拓展至1nm以下節點。合作重點將放在開發新型材料、先進的蝕刻和沉積技術以應對日益復雜的器件架構，以及開發新的High NA EUV 光刻工藝，從而實現下一代互連和器件圖案化，并加速行業應用。

不過，當先進邏輯制程推進至1nm或以下時，半導體產業將面臨多項技術挑戰。

量子效應與漏電問題：當晶體管尺寸接近原子尺度時，電子行為不再完全符合傳統半導體物理，可能出現穿隧效應（quantum tunneling），導致漏電增加并影響功耗控制。

材料與光刻技術限制：要持續縮小線寬，需導入High-NA EUV光刻技術，同時光阻與相關材料也可能須重新設計，但相關設備與制程成本相當高昂。

芯片構架與設計調整：隨著制程持續微縮，晶體管與互連設計需要重新規劃，例如納米片、納米堆疊或背面供電等新技術。

IBM半導體總經理兼IBM研究院混合云副總裁Mukesh Khare表示：“十多年來，Lam一直是IBM的重要合作伙伴，為邏輯微縮和器件架構方面的關鍵突破做出了貢獻，例如納米片技術以及IBM于2021年發布的全球首款2nm節點芯片。我們很高興能夠擴大合作，共同應對下一階段的挑戰，以實現高數值孔徑極紫外光刻技術和1納米以下節點工藝。”

△IBM半導體總經理兼IBM研究院混合云副總裁Mukesh Khare和Lam Research首席技術與可持續發展官Vahid Vahedi

“隨著行業進入3D微縮的新時代，進步取決于重新思考如何將材料、工藝和光刻技術整合為一個單一的高密度系統，” 泛林集團首席技術與可持續發展官Vahid Vahedi表示。“我們很榮幸能夠與IBM在成功合作的基礎上，進一步推動高數值孔徑EUV干光刻膠和工藝的突破，加速開發低功耗、高性能晶體管，這對于人工智能時代至關重要。”

利用IBM位于紐約州奧爾巴尼納米科技園區的先進研究能力，以及泛林集團的端到端工藝工具和創新技術（包括Aether?干式光刻膠技術、Kiyo?和Akara?蝕刻平臺、Striker?和ALTUS? Halo沉積系統以及先進的封裝技術），團隊將構建并驗證納米片和納米堆疊器件以及背面供電的完整工藝流程。這些能力旨在將High-NA的EUV光刻圖案可靠地轉移到實際器件層中，實現高良率，并支持持續的微縮化、性能提升以及未來邏輯器件的可行量產路徑。

編輯：芯智訊-浪客劍